47
Shuni hisobiga yarim o`tkazgichda izolyasiyalangan elektrod kuchla-
nishni o`zgartirib, zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi yuqori bo`lgan qatlam
– kanal hosil qilib uni karshiligini boshqarish mumkin.
MDYA–tranzistorlar texnologik tayyorlanishi bo`yicha ikki turga
bulinadi: kanali kiritilgan MDYA-tranzistor (4.4 -rasm) va induksion kanalli
MDYA-tranzistor (4.5 -rasm). Birinchi tranzistorda
zatvor va istokka etarli
kuchlanishda kanal stok va istok oralig‘i induksiyalanadi. Agarda zatvor va
istok oralig‘ida potensial farq nol bo`lsa, istok va stok oralig‘ida tok umuman
bo`lmaydi. Kanalli kiritilgan MDYA-tranzistorlarida kanal texnologik usulda
vujudga keltiriladi. Bunda zatvor va istok kuchlanishi bo`lmaganda ham
kanal o`tkazuvchanligi nolga teng emas. Shuning uchun zatvor kuchlanishini
o`zgartirib, o`tkazuvchanlikni ortirish va kamaytirish mumkin.
Barcha turdagi maydon tranzistorlarda taglik yarim o`tkazgichning p - yoki n-
turi ishlatiladi. Shuning uchun ham maydon tranzistorlari n va p- turlari bilan
farqlanadi. Hozirgi paytda maydon tranzistorlarini 6 xili qo`llaniladi.
Maydon tranzistorlarining to`la ishlashi
chiqish statik volt-amper
xarakteristikalar oyilasi U
z
const bo`lganda I
c
(U
c
) bilan xarakterlanadi
(4.7 -rasm). Deylik, zatvor kuchlanishi U
z
U
z1
const bo`lsin. Unda istok
va
stok kuchlanishi U
s
o`zgarishida (U
z1
qiymati va U
s
ni qutb kuchlanishi
to`g‘ri tanlansa) maydon tranzistorida I
c
tok paydo bo`ladi. U
s
kuchlanishni
ortishi natijasida xarakteristikaning boshlang‘ich
qismida I
c
tok chiziqli
o`sadi. Keyin kuchlanish U
s
ortishi
bilan I
c
o`sishi to`xtaydi. Bunga asosiy
sabab, uzunlik bo`yicha kanal kengligi birxil emas: stokka yaqinlashgan sari
kanal yupqalashib boradi.
Bu qismlardagi stok tokini zatvorga berilayotgan kuchlanish orqali
boshqarish mumkin.
Shuni hisobiga yarim o`tkazgichda izaliotsion elektrodda kuchlanishni
o`zgartirib, zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi yuqori bo`lgan qatlam –
kanal hosil qilib uni qarshiligini boshqarish mumkin.
MDYa–tranzistorlar texnologik tayyorlanishi bo`yicha ikki turga bo`linadi:
kanali kiritilgan MDYa-tranzistor (4.5 -rasm) va induksion kanalli MDYa-
tranzistor (4.6-rasm). Birinchi tranzistorda zatvor va istokka yetarli kuchlanishda
kanal stok va istok oralig‘i induksiyalanadi. Agarda zatvor va istok oralig‘ida
potensial farq nol bo`lsa, istok va stok oraligi‘da tok umuman bo`lmaydi. Kanalli
kiritilgan MDYa-tranzistorlarida kanal texnologik usulda vujudga keltiriladi.
Bunda zatvor va istok kuchlanishi bo`lmaganda ham kanal o`tkazuvchanligi
nolga teng emas. Shuning uchun zatvor kuchlanishini o`zgartirib,
o`tkazuvchanlikni ortirish va kamaytirish mumkin.
Barcha turdagi maydon tranzistorlarda taglik yarim o`tkazgichning p -
48
yoki
n- turi ishlatiladi. Shuning uchun ham maydon tranzistorlari n- va p-
turlari bilan farqlanadi. Hozirgi paytda maydon tranzistorlarini 6 xili
qo`llaniladi.
Maydon tranzistorlarining to`la ishlashi chiqish statik volt-amper
xarakteristikalar oyilasi U
z
const bo`lganda I
c
(U
c
) bilan xarakterlanadi
(4.6 -rasm). Deylik, zatvor kuchlanishi U
z
U
z1
const bo`lsin. Unda istok
va stok kuchlanishi U
c
o`zgarishida ( U
z1
qiymati va U
c
ni qutb kuchlanishi
to`g‘ri tanlansa) maydon tranzistorida I
c
tok paydo bo`ladi. U
s
kuchlanishni
ortishi natijasida xarakteristikaning boshlang‘ich qismida I
c
tok chiziqli
o`sadi. Keyin kuchlanish U
C
ortishi bilan I
c
o`sishi to`xtaydi. Bunga asosiy
sabab, uzunlik bo`yicha kanal kengligi birxil emas: stokka yaqinlashgan sari
kanal yupqalashib boradi.
Bu qismlardagi stok tokini zatvorga berilayotgan kuchlanish orqali
boshqarish mumkin.
4.6 - rasm. Maydon tranzistorlarining chiqish
(a) va kirish (b)statik xarakteristikalari
Maydon tranzistorlarining sifat parametrlariga: S xarakteristik tikligi,
kuchaytirish koeffitsienti va R
i
ichki qarshiligi kiradi.
Maydon tranzistorining S xarakteristik tikligi deganda, U
ci
const
bo`lganda stok toki o`zgarishini zatvor kuchlanishi o`zgarishiga nisbati
tushuniladi:
C
зи
I
S
U
Maydon tranzistorining
kuchaytirish koeffitsienti deb, I
c
const
bo`lganda, stok kuchlanishini zatvor kuchlanishi o`zgarishiga
nisbatiga
aytiladi:
49
си
зи
U
U
Maydon tranzistorining R
i
ichki qarshiligi deb, U
zi
const bo`lganda,
stok kuchlanishini o`zgarishini unga to`g‘ri keluvchi stok tokini o`zgarishiga
nisbatiga aytiladi:
зи
i
C
U
R
I
Maydon tranzistorining yuqoridagi parametrlari quyidagicha ham
bog‘langan:
i
SR
Maydon tranzistorlarining ishchi sohasida, S
0,3–3 mA
V, R
i
ichki
qarshiligi bir necha megaomni tashkil qiladi.
Maydon tranzistorlarning zaruriy xususiyatlariga ularning kirish
qarshiligini (10
15
Om gacha) va chegara chastotasini (1 GGs gacha) juda
yuqoriligidir.
Maydon tranzistorlarini, ayniqsa MDYa-tranzistorlarini
integral mikrosxemalarda qo`llanilmoqda.
Tranzistorlarni tamg‘alash. Tranzistorlarni belgillash 6 ta elementdan
tashkil topadi.
Birinchi element : G yoki 1–germaniy, K yoki 2-kremniy, A yoki 3-
galliy arsenidi.
Ikkinchi element: T-qo`sh qutbli tranzistorlar, P- maydon tranzistorlar.
Uchinchi, to`rtichi va beshinchi elementlar-uch belgili son, birinchi
raqam ishchi chastota diapazonni va quvvatini, qolgan ikkitasi raqamlar esa,
01 dan to 99 gacha asbobning ishlab chiqarish texnologik tartib nomeri.
Oltinchi element – A dan to Ya gacha- bir turdagi asbobning parametrik
guruhi.
