|
Step conferenceBog'liq STEP..YARIMOTKAZGICHLARDA ELEKTR TOKI (1) STEP CONFERENCE
4
Miqdor jihatidan yakkalangan o'tkazgichning potensialini bir birlikka o'zgartirish
uchun zarur miqdoriga teng. Elektr sig'imi o'tkazgichning o'lchamlariga, geometrik
shakliga va atrof muhitning dielektrik singdiruvchanligiga bog'liq. Amalda
kondensatorlarni parallel, ketmaket yoki aralash yo'li bilan zarur elektr sig'imi
olinadi. Elektr toki paydo bo'lishi va doimo paydo bo'lib turishi uchun:
1) moddada erkin elektr zaryadlari,
2) ularni tartibli harakatga keltiruvchi elektr maydon va
3) zanjir berk bo'lishi kerak.
Yarimo'tkazgichlar-moddaning ajoyib turi bo'lib, ular o'ziga xos xossalari bilan
boshqalardan yaqqol ajralib turadi. Umuman olganda, elektrik o'tkazuvchanligiga
qarab moddalar uchta katta sinfga: o'tkazgichlarga (elektrik o'tkazuvchanligi 106
Om/sm dan kat-ta), yarimo'tkazgichlarga (elektrik o'tkazuvchanligi 10-8^106
Om/sm oralig'ida) va dielektriklarga (elektrik o'tkazuvchanligi 10-8 Om/sm dan
kichik) bo'linadi. Yarimo'tkazgichlarning elektrik o'tkazuvchanli-gi juda keng
oraliqda yotishi yuqoridagi ma'lumotlardan ko'rinib turibdi.
Yarimo'tkazgich materiallar quyidagi xossalari bilan boshqa materiallardan ajralib
turadi:
1. Yarimo'tkazgich materialining solishtirma qarshiligi temperatura oshishi bilan
eksponensial qonuniyatga asosan oshadi.
2. Yarimo'tkazgich materiallarning solishtirma qarshiligini kirishma atomlarini
legirlash yo'li bilan o'zgartirish mumkin. Misol uchun 1 kg Si ga 0,001 mg ya'ni Si
dagi atomlar sonidan 109 marta kam bo'lgan B, P yoki Sb ni qo'shadigan bo'lsak,
uning solishtirma qarshiligi 103 marta oshadi. Demak, xona haroratida Si
solishtirma qarshiligini faqat kirishma atomlar konsentratsiyasi 10n^1019 sm-3 ga
oshirish hisobiga uning solishtirma qarshiligi p ~ 105 Om sm dan p ~ 10-30msm
ga o'zgartirish mumkin. Demak, yarimo'tkazgichlarga kirishma elementlari
kiritilganda ularning xususiyatlarini keskin o'zgarishi ham ularning noyob xossaga
ega ekanligidan darak beradi.
|
| |
