oshirish uchun, qo‘shimcha kirishmalar kiritilgan teskari tipdagi o‘tkazuvchanlikka
ega bo‘lgan =ushimcha yupqa qatlam hosil qilish maqsadga muvofiqdir. YA’ni,
yana qisman perpendikulyar konstruksiya
elementiga qaytish maqsadga
muvofiqdir.
Parallel joylashgan r-p o‘tishli QE larida hosil bo‘lgan elektron-teshik
juftliklar konsentratsiyasi (M) material yuzasidan ichkarisiga qarab o‘zgaradi.
Perpendikulyar joylashgan r-p o‘tishli QE konstruksiyasi
uchun esa p-tipdagi
material uchun ham r-tipdagi uchun ham hosil bo‘layotgan juftliklarning aksariyati
r-p o‘tishga yaqin joyda hosil bo‘ladi. Hosil bo‘ladigan elektron-teshik juftliklar
birlik chuqurlikda quyidagi tenglama orqali aniqlanadi.
