• 1.3. Quyosh elementlari konstruksiyalari.
  •  Yarimo‘tkazgichli quyosh elemenlarida quyosh nurlanishini elektr




    Download 1,73 Mb.
    Pdf ko'rish
    bet14/50
    Sana07.09.2024
    Hajmi1,73 Mb.
    #270563
    1   ...   10   11   12   13   14   15   16   17   ...   50
    Bog'liq
    majmua 2

    1.2. Yarimo‘tkazgichli quyosh elemenlarida quyosh nurlanishini elektr 
    energiyasiga aylantirish. 
    Fotoelektrik 
    effektga 
    asoslangan 
    YAO‘ materiallarda r-p o‘tishli 
    tuzilmalardan iborat QE da, ularga tushayotgan quyosh nuri bevosita elektr 
    energiyasiga 
    aylantiradi. 
    SHuning 
    uchun, 
    QE 
    fotoqabullagich 
    va 
    fotoqarshiliklardan farqli ravishda tashqi kuchlanish manbaiga muhtoj emas. Bu 
    effekt yuz yildan ortiq vaqt davomida selen va mis oksidining fotoelektrik 
    xususiyatlari sifatida o‘rganib kelingan, ammo ularning foydali ish koeffitsienti 
    (F.I.K.) 0,5 % oshmagan. 
    Bu muammoning nisbatan faol echilishi YAO‘ materiallar elektron 
    tuzilishining soha nazariyasi yaratilganidan keyin, materiallarni kirishmalardan 
    tozalash va nazoratli kirishmalar kiritish texnologiyasi, hamda r-p o‘tishning 
    nazariyasi yaratilishi bilan bo/liqdir. 
    Sunggi 35 yil davomida energiya manbai sifatida yuqori samarali Si, GaAs, 
    InP, CdTe va ularning qattiq qotishmalari asosida F.I.K. 20-24 % bo‘lgan QE 
    yaratildi. Kaskadli QE larda esa F.I.K. 30 % gacha etkazildi. 
    1.3. Quyosh elementlari konstruksiyalari. 
    Keng tarkalgan kremniy asosidagi QE lari konstruksiyasi qarama-qarshi 
    tipdagi r- va p-materialning bir-biriga yaqin tutashtirishdan hosil qilinadi. YAO‘ 
    material ichidagi r- va p-tip


    materiallar orasidagi o‘tish sohasi (chegara xududi) elektron-teshik yoki r-p o‘tish 
    deyiladi. Termodinamik muvozanat holida elektron va teshiklar muvozanat holatini 
    belgilovchi Fermi sathi materialda bir xil holda bo‘lishi kerak. Bu shart r-p o‘tish 
    hududida ikkilangan zaryadli qatlam hosil qiladi va uni hajmiy zaryad qatlami 
    deyilib, unga taaluqli elektrostatik potensial paydo bo‘ladi.
    R-p tizilma sirtiga tushgan optik nurlanish sirtdan material ichiga qarab r-p 
    o‘tish yo‘nalishiga perpendikulyar ravishda konsentratsiyasi kamayib boruvchi 
    elektron-teshik juftliklar hosil qiladi. Agar sirt yuzasidan r-p o‘tishgacha bo‘lgan 
    masofa nurning kirish chuqurligidan (1/ά dan) kichik bo‘lsa, elektron-teshik 
    juftliklar r-p o‘tishdan ichkarida ham hosil bo‘ladi. Agar r-p o‘tish juftlik hosil 
    bo‘lgan joydan diffuzion uzunlikchalik masofa yoki undan kamroq masofada 
    bo‘lsa, zaryadlar diffuziya jarayoni natijasida r-p o‘tishga etib kelib, elektr 
    maydoni ta’sirida ajratilishi mumkin. Elektronlar r-p o‘tishning elektron bor 
    bo‘lgan qismiga (p-qismiga), teshiklar r-qismiga o‘tadi. Tashqi r- va p-sohalarni 
    birlashtiruvchi elektrodlarda (kontaktlarda) potensiallar ayirmasi hosil bo‘lib, 
    natijada ulangan yuklanma qarshiligi orqali elektr toki oqa boshlaydi. 
    R-p o‘tishga diffuziyalangan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar
    potensial to‘siq bo‘lganligi sababli, ikkiga ajratiladi. Ortiqcha hosil bo‘lgan (to‘siq 
    yordamida ajratilgan) va to‘plangan, p-sohadagi elektronlar va r-sohadagi teshiklar 
    r-p o‘tishdagi mavjud hajmiy zaryadni kompensatsiya qiladi, ya’ni mavjud 
    bo‘lgan elektr maydoniga qarama-qarshi elektr maydonini
    hosil qiladi. YOritilish tufayli tashqi elektrodlarda potensiallar ayirmasi hosil 
    bo‘lishi bilan birga yoritilmagan r-p o‘tishdagi mavjud potensial to‘siqning 
    o‘zgarishi ro‘y beradi. Hosil bo‘lgan foto-EYUK bor bo‘lgan potensial to‘siq 
    qiymatini kamaytiradi. Bu esa o‘z navbatida qarama-qarshi oqimlarning paydo 
    bo‘lishini ta’minlaydi, ya’ni elektron qismdan elektronlar oqimini, r-qismdan 
    teshiklar oqimini hosil qiladi. Bu oqimlar


    Rasm
     3. Yoritilmagan r-p o‘tishli yarim o‘tkazgichda energetik zonalar strukturasi 
    (a), elektrostatik potensial taqsimoti (b). 2l – fazoviy zaryad sohasining kenglini, 
    U
    E
     – r- va p- sohalar chegarasidagi muvozanat xol uchun elektrostatik potensial, 
    E
    g
    – man qilingan soha kengligi, shtrixlangan chiziq – muvozanat holi uchun
    Fermi sathi. 
    r-p o‘tishga qo‘yilgan elektr kuchlanishi ta’siri natijasida to‘g‘ri yunalishdagi 
    tok bilan deyarli teng bo‘ladi. Yoritilish jarayoni boshlangan vaqtdan boshlab 
    ortiqcha ( muvozanatdagiga nisbatan) zaryadlarning to‘planishi (elektronlarning p-
    sohada va teshiklarning r-sohada) potensial to‘siq balandligini kamaytiradi, yoki 
    boshqacha qilib aytganda elektrostatik potensialni pasaytiradi (3-Rasmga qarang).
    Bu esa o‘z navbatida tashqi yuklanmadan oqayotgan tok kuchini oshiradi va 
    qarama-qarshi oqimlar hosil qiluvchi elektronlar va teshiklar oqimini r-p o‘tishdan 
    o‘tishini ta’minlaydi. Yorug‘lik tufayli hosil bo‘lgan ortiqcha juftliklar soni r-p 
    o‘tish yoki tashqi yuklanma orqali ketayotgan juftliklar soniga teng bo‘lganda 
    statsionar muvozanat hosil bo‘ladi. Odatda bu hol yoritilish jarayonining mingdan 
    bir soniyasi davomida ro‘y beradi. 
    QE qisqa tutashuv toki I
    kz
    ni, tushayotgan optik nurlanish zichligi va spektral 
    tarkibidan o‘rganish element tuzilmasi ichida bo‘layotgan alohida har bir nurlanish 
    kvantining elektr energiyasiga aylanish jarayoni samaradorligi haqida tasavvur 
    hosil imkoniyatini beradi. QE uchun ma’lum yorug‘lik oqimi zichligi tushayotgan 
    hol uchun quyidagi tenglamani keltirish mumkin. 


    I
    kzyu
    (λ) = I
    kzt
    (λ)/[1-r(λ)] (3) 
    bu erda I
    kzt
    (λ) va I
    kzyu
    (λ) – QE qisqa tutashuv tokining qiymati, berilgan 
    intensivlikdagi tushayotgan va yutilgan nurlanish uchun, r(λ)- birlamchi qaytish 
    koeffitsienti. Keltirilgan uchchala kattaliklar xam bir xil to‘lqin uzunligi bo‘lgan 
    hol uchun to‘g‘ridir. 
    QE ni tahlil qilish va sifatini baholash uchun uning I
    kz
    tokining spektral 
    xarakteristikasini yutilgan har bir kvant nur uchun hisoblangani o‘ta muhimdir. Bu 
    kattalikni quyosh elementining effektiv kvant chiqishi deyiladi va Q
    eff
    bilan 
    belgilanadi. Agar No – YAO‘ material sirtining birlik yuzasiga tushayotgan 
    kvantlar soni bo‘lsa, u holda 

    Download 1,73 Mb.
    1   ...   10   11   12   13   14   15   16   17   ...   50




    Download 1,73 Mb.
    Pdf ko'rish

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



     Yarimo‘tkazgichli quyosh elemenlarida quyosh nurlanishini elektr

    Download 1,73 Mb.
    Pdf ko'rish