Nostexiometrik eritmalardan kristall o‘stirish. Bu usul nisbatan universal usul
bo‘lib, uning yordamida har qanday erish haroratiga ega bo‘lgan, hamda bug‘lar
bosimi katta bo‘lgan yarim o‘tkazgich birikmalarini ham o‘stirishda qo‘llash
mumkin. Bu usulda o‘stirish jarayonida qo‘llaniladigan
eritmalar tayorlashda
erituvchi neytral moddadan (o‘stirilayotgan material tarkibiga kirmagan
moddadan) yoki birikma tarkibiga kiruvchi moddadan ham bo‘lishi mumkin. Rasm
3 ga qarang.
Rasm 3
AV birikma asosidagi kristallni eritmadan yo‘naltirilgan kristallanish
usuli bilan o‘stirish.
Usulning asosiy afzalliklari. 1. Bu usul bilan o‘stirish nisbatan past haroratlarda
olib boriladi. 2. Bug‘ bosimi katta bo‘lgan birikmalarni
1.punktni hisobga olgan holda o‘stirish mumkinligi. 3.
YUqoridagi usullarga
nisbatan o‘stirish qurilmalarining konstruksiyasi nisbatan soddalashadi.
Suyuq fazali epitaksiya usuli. Bu usul yuqoridagi usuldan prinsipial farq qilmaydi.
Bu usul bilan asosan ko‘p qatlamli tuzilmalar olinadi. Bu usulni qo‘llashning
dastlabki qurilmalaridan biri 15-rasmda ko‘rsatilgan.
Rasm 4
. Eritmalardan epitaksial qatlamlar o‘stirish qurilmasi.
Bu usul bilan arsenid galliy, fosfid galliy, fosfid indiy va boshqa A
3
V
5
birikmalar
va ularning qattiq eritmalari
asosidagi nurlanuvchi diod, tranzistor,
lazer
strukturalar olingan.
