|
Yarim o‘tkazgichli materiallar o‘stirish usullariBog'liq majmua 2Yarim o‘tkazgichli materiallar o‘stirish usullari.
Yarim o‘tkazgichli materiallar olish texnologiyasini tanlash ularga quyilgan
talablarga bog‘lik bo‘lib, bular jumlasiga asosan materialning tozaligi kiradi. Misol
uchun YAO‘ diodning teskari yo‘nalishdagi quyiladigan kuchlanishi materialning
solishtirma qarshiligiga bog‘lik bo‘lib, ρ~0,5 om sm bo‘lgan Ge da U
tes
= 10-12 V
bo‘lgan diod olish mumkin. Bunday Ge materialida 100 ta kirishma atomiga 1,5
10
9
Ge atomi to‘g‘ri kelsa, kirishmalar sonini 100 marta kamaytirilsa (ρ=50 om
sm) U
tes
= 500 V ga teng bo‘lgan diod olish mumkin.
Shuning uchun
ya
rim o‘tkazgichlar asosida ishlatiladigan texnik asboblarda
moddalar tozaligi nuqtai nazaridan materiallar uch toifaga bo‘linadi. A – toifaga
oddiy klassik ximiyaviy analiz yo‘li bilan aniqlanishi mumkin bo‘lgan A1 – 99,9%
tozalikka ega bo‘lgan va A11-99,99% tozalikka ega bo‘lgan materiallar kiradi. V –
toifa V
3
va V
6
larga bo‘linadi. Bunday moddalar alohida toza va o‘ta toza deyiladi
(10
-3
-10
-6
% aniqlikda kirishmalar). Keyingi eng toza toifa bo‘lib S
7
-S
10 ga
mansub
bo‘lib tozalik darajasi 10
-7
-10
-10
% dir.
Yarim o‘tkazgichli materiallar o‘stirish usulini tanlash ularning fizik va kimyoviy
xususiyatlarini o‘rganishga bog‘likdir. Misol uchun, agar moddaning erish harorati
yuqori, kimyoviy aktiv va bug‘ bosimi katta bo‘lsa, bunday moddalarning
kristallini ustirish juda qiyin bo‘lib, ularni bug‘ fazasi yoki eritmalaridan kichik
o‘sish tezliklarida o‘stirish maqsadga muvofiq bo‘ladi. Ustirish jarayoni haroratini
juda aniq nazorat qilishga, moddalar taqsimotini nazorat qilishga, gaz holatidagi
komponentlar bosimini doimiy miqdorda saqlashga, dastgohning mexanik qismlari
ishini aniq nazorat qilishga to‘g‘ri keladi.
|
| |
