Tayyorlash va ularning malakasini oshirishni tashkil etish bosh ilmiy metodik markazi toshkent davlat texnika universiteti huzuridagi

tabiatiga bog‘lik bo‘ladi. Erituvchi boshqa moddadan bo‘lsa, u holda asosiy 
moddaning kristallizatsiya jarayoni har xil haroratda bo‘lgani uchun uning tarkibi 
haroratga bog‘lik bo‘ladi va unga mutanosib o‘zgaradi. Kirishmalarni taqsimlanish 
jarayoni yarim o‘tkazgichlar kristallanish jarayonida aniqlovchi xususiyatlardan 
bo‘lib, ideal eritmalar nazariyasiga asosan SHreder tenglamasi bilan aniqlanadi. 
K = ℓn N
ak
/N
ac 
=∆M
A
R(1/T – 1/T
oa
) (1) 
bu erda: N
ak 
va N
ac
– kirishmalarning qattiq jism va suyuqlikdagi 
konsentratsiyalari, keyinchalik ular S
kr.
Va S
s.
bilan belgilangan. ∆M
A
– sof 
kirishmaning yashirin erish issiqligi, T
oa
– sof kirishmaning erish harorati, T – 
eritmaning erish harorati. 
Kirishmaning taqsimlanish koeffitsienti 
K
deb, o‘stirilgan kristalldagi 
kirishmalar konsentratsiyasining eritmadagi kirishmalarning o‘rtacha olingan 
konsentrapsiyasining nisbatiga aytiladi. 
K = S
kr
/S
s.
(2) 
Kirishmaga ega bo‘lgan yarim o‘tkazgichli eritmaning kristallanish jarayoni.
Bu jarayonni CHoxralskiy usulida ko‘rib o‘tamiz. (16-Rasm).
1 hol, agar o‘sayotgan kristall va suyuqlik (eritma) tarkibi bir xil bo‘lsa, 
taqsimlanish koeffitsienti K = 1 va o‘sayotgan kristallda tarkib bir xil bo‘ladi.
2-hol. Agar kirishma erituvchining erish haroratini oshirsa (m: arsenid galliy 
kristalliga alyuminiy qo‘shilgan hol), taqsimlanish

Rasm 16
. Kirishmalarning taqsimlanish koeffitsientini aniqlashga doir. 
koeffitsienti K>1 va S
kr.
>S
s. 
Bu hol uchun o‘sayotgan kristall tarkibi o‘sish 
jarayonida kirishma bilan boyib boradi.
3-hol. Agar kirishma erituvchining erish haroratini kamaytirsa (M: arsenid galliy 
kristalliga indiy qo‘shilgan hol), taqsimlanish koeffitsienti K<1 va S
kr.
s.
. O‘sish 
jarayonida kristallda kirishma miqdori kamayib boradi. 
Erituvchini tanlashning 2-holi mavjud.
1.Erituvchi sifatida kristall tarkibiga kirmagan moddani ishlatish. Bu modda 
kristallga nisbatan kirishma ham bo‘lishi mumkin M: Sn-Si, Pb-Si, Bi-GaAs, Sn-
GaAs, In-GaAs va hokazo. 
3.
Erituvchi sifatida kristall tarkibiga kiruvchi moddani ishlatish. Bu hol 
birikmali kristallarga xos. M: GaAs-Ga, GaP-Ga, InP-In, CdTe-Cd va hokazo. Bu 
hol uchun o‘sayotgan kristall tozaligi tanlab olingan komponentlar tozaligiga 
bog‘lik. 
Eritmadan o‘stirish afzalliklarga ega bo‘lib, u o‘stirish jarayonining nisbatan 
pastroq haroratda bo‘lishi bilan bog‘lik. Jumladan: a) T
k
er.
bo‘lgani uchun 
birikmali materiallar o‘stirilganda birikma komponentlarining parsial bosimi 
kamroq bo‘ladi M: GaAs-Ga va hokazo.b) Kristall o‘stiralayotgan asbob-
anjomlarga nisbatan (M: o‘stirish konteynerlariga nisbatan) qo‘yiladigan shartlar 
birmuncha yumshaydi. 

Download 1,73 Mb.