tabiatiga bog‘lik bo‘ladi. Erituvchi boshqa moddadan bo‘lsa, u holda asosiy
moddaning kristallizatsiya jarayoni har xil haroratda bo‘lgani
uchun uning tarkibi
haroratga bog‘lik bo‘ladi va unga mutanosib o‘zgaradi. Kirishmalarni taqsimlanish
jarayoni yarim o‘tkazgichlar kristallanish jarayonida aniqlovchi xususiyatlardan
bo‘lib, ideal eritmalar nazariyasiga asosan SHreder tenglamasi bilan aniqlanadi.
K = ℓn N
ak
/N
ac
=∆M
A
R(1/T – 1/T
oa
) (1)
bu erda: N
ak
va N
ac
– kirishmalarning qattiq jism va suyuqlikdagi
konsentratsiyalari,
keyinchalik ular S
kr.
Va S
s.
bilan belgilangan. ∆M
A
– sof
kirishmaning yashirin erish issiqligi, T
oa
– sof kirishmaning erish harorati, T –
eritmaning erish harorati.
Kirishmaning
taqsimlanish koeffitsienti
K
deb, o‘stirilgan kristalldagi
kirishmalar konsentratsiyasining eritmadagi kirishmalarning o‘rtacha olingan
konsentrapsiyasining nisbatiga aytiladi.
K = S
kr
/S
s.
(2)
Kirishmaga ega bo‘lgan yarim o‘tkazgichli eritmaning kristallanish jarayoni.
Bu jarayonni CHoxralskiy usulida ko‘rib o‘tamiz. (16-Rasm).
1 hol, agar o‘sayotgan kristall va suyuqlik (eritma) tarkibi bir xil bo‘lsa,
taqsimlanish koeffitsienti K = 1 va o‘sayotgan kristallda tarkib bir xil bo‘ladi.
2-hol. Agar kirishma erituvchining erish haroratini oshirsa (m:
arsenid galliy
kristalliga alyuminiy qo‘shilgan hol), taqsimlanish
Rasm 16
. Kirishmalarning taqsimlanish koeffitsientini aniqlashga doir.
koeffitsienti K>1 va S
kr.
>S
s.
Bu hol uchun o‘sayotgan kristall tarkibi o‘sish
jarayonida kirishma bilan boyib boradi.
3-hol. Agar kirishma erituvchining erish haroratini kamaytirsa (M: arsenid galliy
kristalliga indiy qo‘shilgan hol), taqsimlanish koeffitsienti K<1 va S
kr.
s.
. O‘sish
jarayonida kristallda kirishma miqdori kamayib boradi.
Erituvchini tanlashning 2-holi mavjud.
1.Erituvchi sifatida kristall tarkibiga kirmagan moddani ishlatish.
Bu modda
kristallga nisbatan kirishma ham bo‘lishi mumkin M: Sn-Si, Pb-Si, Bi-GaAs, Sn-
GaAs, In-GaAs va hokazo.
3.
Erituvchi sifatida kristall tarkibiga kiruvchi moddani ishlatish. Bu hol
birikmali kristallarga xos. M: GaAs-Ga, GaP-Ga, InP-In, CdTe-Cd va hokazo. Bu
hol uchun o‘sayotgan kristall tozaligi tanlab olingan komponentlar tozaligiga
bog‘lik.
Eritmadan o‘stirish afzalliklarga ega bo‘lib, u o‘stirish
jarayonining nisbatan
pastroq haroratda bo‘lishi bilan bog‘lik. Jumladan: a) T
k
er.
bo‘lgani uchun
birikmali materiallar o‘stirilganda birikma komponentlarining parsial bosimi
kamroq bo‘ladi M: GaAs-Ga va hokazo.b) Kristall o‘stiralayotgan
asbob-
anjomlarga nisbatan (M: o‘stirish konteynerlariga nisbatan) qo‘yiladigan shartlar
birmuncha yumshaydi.
