3) ionli implantatsiya, mexanik ishlov yoki elektrik ishlov berish yo‘li bilan yarim
o‘tkazgichli material yuzasida nuqsonlar hosil qilib, tunnel to‘siqlar
hududida
energetik holatlar hosil qilish.
Yuza qatlamdagi kirishmalarning o‘ta yuqori konsentratsiyasini hosil qilish uchun
quyidagi usullardan qo‘llaniladi.
1.
Qattik jismli diffuziya manba’idan yoki bug‘ fazasidan yuqori haroratda
diffuziya jarayonini o‘tkazish.
2.
Kontakt materialning o‘zidan diffuziya o‘tkazish, misol Zn ning Au-Zn-Au
dan InP ga diffuziyasi.
3.
Ionli implantatsiya jarayonidan keyingi termik ishlov usuli.
4.
p
+
va r
+
-qatlamlarni epitaksial usul bilan o‘stirish.
5.
Kontakt materialini yarim o‘tkazgich bilan
birgalikda termik eritish
(splavlenie) va rekistallizatsiya (qayta kristallanish) qilish.
So‘nggi usul suyuq fazali epitaksiya usuliga o‘xshash bo‘lib, erituvchi
metall tanlanganda uning yarim o‘tkazuvchi materialda
eritish qobiliyati
hisobga olinadi. Legirlovchi kirishma erituvchi tarkibida bo‘lishi mumkin, yoki
maxsus vosita bilan kiritiladi. Bunday eritma sovuganda yarim o‘tkazgich
kristallanish jarayonini o‘tadi va qayta hosil bo‘lgan qatlam eritmadan o‘ta
legirlanadi.
