Omik kontaktlar xususiyatlari o‘rganish

P-Si 
har 
qanday 
har qanday 
Pt-Pt-Si 
10
-4 
n-Si 
5 10
-3 
- 
Al 
passiv 
4 10
-3 
n-Si 
- 
10
19 
Ag-Pd-Ti passiv 
n-GaAs 
- 
2 10
16 
Ni-AuGe-
Ni 
aktiv 
8 10
-5 
p-InP 
1-10 
- 
Au-Zn-Au aktiv 
10
-3 
Quyosh elementlariga taalluqli kontaktlarga qo‘yiladigan talablarni ko‘rib 
chiqamiz. Jadvalda QE lari uchun ishlatilgan klasssik kontaktlar keltirilgan. 
Umuman olganda hozirgi zamon QE lari uchun ishlab chiqilgan kontaktlarning 
o‘nlab har xil materialdan olingan «aktiv» va «passiv» turlari yaratilgan. SHunga 
qaramasdan ularga qo‘yiladigan talablarning asosiy qismlari quyidagilardan iborat: 
1.
Kontaktning keltirilgan qarshiligi kichkina bo‘lishi kerak.(ρ
ko→
0) 
2.
Frontal tomonga olinadigan kontakt to‘rsimon ko‘rinishda bo‘lgani uchun, 
uning qarshiligini kamaytirish maqsadida uning kesimini oshirish kerak (ya’ni 
kontakt qalin bo‘lishi kerak). Buning uchun QE eritilgan qalayga (pripoyga) 
tushiriladi, shuning uchun kontaktning qatlamlari shu jarayonga chidamli bo‘lishi 
kerak. 
3.
Kontaktning xususiyatlari keyingi har xil texnologik jarayonlar davomida 
saqlanib qolishi kerak, xususan bu ko‘proq frontal kontaktga tegishli. 
4.
QE larini germetizatsiya qiluvchi qatlamlar olingandan keyin kontakt 
parametrlari uzoq vaqt davomida (20 yil va undan ko‘proq vaqt davomida) tashqi 
muhit ta’siriga chidashi kerak. 
5.
Kontakt olinadigan materiallar iloji boricha arzonroq bo‘lishi, nodir materiallar 
qo‘llanmasligi (Er sharoitida ishlaydigan QE lari uchun) kerak. 
6.
Orqa tomondan nurni qaytaruvchi kontaktga ega bo‘lgan QE lari olish uchun 
material tanlanganda nurni qaytarish koeffitsientini hisobga olish kerak. 
Kristalli kremniy asosidagi QE keng qo‘llaniladi. Bu QE larida asosan quyidagi 
kontaktlar qo‘llaniladi; r-tipdagi Si uchun Al, Al-Ti Pd-Ag va p-tipdagi Si uchun 
Ti-Pd-Ag. Bu kontaktlar asosan vakuumda uchirish usuli bilan olinadi. 

Odatda p
+
-Si uchun Ag yaxshi tunnellanish xususiyatiga asoslangan kontakt 
bo‘lib hisoblanadi (F
v
=0,6-0,7 eV). Ammo bu tizimning adgeziyasi yomon, 
shuning uchun Si bilan Ag orasiga oraliq yupqa qatlam Ti kiritiladi. Bunday 
kontaktlarda Ag ning qalinligi 2-3 mkm va titanning qalinligi 1 mkm ga yaqin 
bo‘lishi kerak. Bunday qalin qatlamlarni vakuumda uchirib olish mushkil vazifadir. 
Bu kontaktlarda tabiiy sharoitda o‘tkazilgan tajribalar natijasiga ko‘ra bu 
sistemaning korroziyaga uchrashi mumkinligi aniqlangan va bu jarayon suv 
bug‘ining yutilishiga asoslangani aniqlangan. SHuning uchun keyinchalik titan va 
kumush orasiga palladiy kiritish tavsiya etilgan va natijada kontaktning elektr toki 
va haroratga chidamliligi oshirilgan. Bu kontaktning birdan-bir kamchiligi uning 
nisbatan qimmatliligidadir. Bu erda nafaqat materiallar nodirligi, shu bilan birga 
vakuumda uchirish jarayonining katta isrofgarchilikka olib kelishini ham hisobga 
olish kerak (90% yaqini chiqindiga chiqadi). 

Download 1,73 Mb.