Tayyorlash va ularning malakasini oshirishni tashkil etish bosh ilmiy metodik markazi toshkent davlat texnika universiteti huzuridagi




Download 1,73 Mb.
Pdf ko'rish
bet34/50
Sana07.09.2024
Hajmi1,73 Mb.
#270563
1   ...   30   31   32   33   34   35   36   37   ...   50
Bog'liq
majmua 2

4.2.
 
Akslanishni kamaytiruvchi qatlamlar olish texnologiyasi 
Quyosh elementari samaradorligini oshirishning yana bir yo‘li elementning 
yuza qismidan bo‘ladigan nur qaytarilish hodisasini kamaytirishdir. Misol uchun 
sayqallangan kremniy plastinasi yuzasidan (0,35-1,1 mkm diapazondagi) 
tushayotgan nurning akslanish koeffitsienti 0,45 dan oshishi mumkin. Bu hodisa 
asosan Si va atmosfera orasida nur sindirish koeffitsientining nomuvofiqligidir, 
ya’ni kremniy uchun n = 3,6 bo‘lgani holda, havo uchun bu ko‘rsutkich birga teng. 
Bunday sharoitda tushayotgan nurning qaytishini kamaytirish uchun, yarim 
o‘tkazgichli material ustini sindirish ko‘rsatkichini muvofiqlashtiruvchi, har xil 
oksid materiallar, bilan qoplash kerak bo‘ladi. Bunday materiallardan QE 
texnologiyasida ishlatiladiganlari birmuncha bo‘lib, ularga quyidagilar misol bo‘la 
oladi, SiO, SiO
2
, SnO
2
, TiO
2
,Ta
2
O
5
, ZnS va hokazolar. Odatda qoplanayotgan 
materiallar sindirish ko‘rsatkichi quyidagini tengsizlikni qanoatlantirishi kerak, 
ya’ni n
1
2
bo‘lishi kerak. YUzaga olinayotgan akslanishni kamaytiruvchi 
qatlam bir yoki ikki qavatli har xil materialdan iborat bo‘lishi mumkin. U holda
n
1
1k
2k
2
bo‘lishi kerak.


Ayrim hollarda quyosh elementi yuzasidan bo‘layotgan issiqlikdan 
nurlanishni oshirishga to‘g‘ri keladi. Sayqallashgan Si yuzasidan, kirishmalar 
konsentratsiyasi (1-2) 10
20
sm
-3
, bo‘lganda QE da issiqlikdan muvofiqlashtiruvchi 
qoplamasiz issiqlikdan nurlanish ko‘rsatkichi bor yug‘i 0,19-0,24 ga teng bo‘ladi. 
Element isib ketmasligi uchun issiqlikdan nurlanish koeffitsientini 0,9 gacha 
oshirish kerak bo‘ladi. Buning uchun QE yuzasi ikki qatlamli oksid bilan 
qoplanib, ikkinchi qatlam issiqlikdan muvofiqlantiruvchi bo‘lib uning qalinligi 40-
80 mkm ga borishi va n = 1,51 yaqin olinishi kerak va tushayotgan spektrning 
yutilishi, yuzadagi issiqlikni 30-40
o
S da saqlash uchun, to‘lqin uzunligi 3-30 mkm 
ga to‘g‘ri kelishi kerak bo‘ladi. Bu hodisalar asosan koinotda ishlatiladigan QE 
lariga ko‘proq taalluqlidir. 
Ikki qavatli akslanishni kamaytiruvchi qatlamlarni parametrlarini to‘g‘ri 
tanlash akslanishni kamaytirishni to‘g‘ri hisoblashga bog‘lik bo‘lib, asosan 
birinchi qavat qatlami parametrlarini to‘g‘ri tanlashni taqozo etadi. Misol uchun 
ko‘pincha birinchi qavat qatlamining sindirish ko‘rsatkichini n = 2,3 ga teng deb 
olinadi va bu birinchi qavat qatlami sifatida ZnS materialini olish bilan bog‘likdir, 
ya’ni issiqlikdan nurlanishni kamaytirish uchun n = (n
ik
n
Si
)
1/2
=(1,5 X 3,7)
1/2
=2,3 tengligi kelib chiqadi. Albatta ZnS o‘rniga olinadigan boshqa materiallar ham 
mavjud. Misol uchun Ta, Ti, Ce oksidlari. Ikkinchi qavat qatlami materiallari 
misoliga n =1,6-1,8 ga teng bo‘lgan In
2
O
3, 
SnO
2,
SiO
x
olinishi mumkin. 
Kremniy asosidagi QE larini bir qatlamli effektiv akslanishni kamaytiruvchi 
material bo‘lib, Ta
2
O
5
hisoblaniladi va uning yordamida akslanishni 10 % dan 
kamroq qilish mumkin, ikki qatlamli qoplamalar bilan esa akslanishni 2 % 
kamaytirish hakida ma’lumotlar mavjud.
Kremniy 
asosidagi 
fotoqabullagichlar 
sirtiga 
yupqa 
akslanishni 
kamaytiruvchi qatlamning qalinligi λ/4 ga teng bo‘lishi kerak. So‘nggi vaqtlarda 
kremniy tuzilmalarida SiO
2
o‘rniga nitrid kremniyli Si
3
N
4
olinayapti va uning 
sindirish ko‘rsatkichi 2 ±0,1 ga teng. Bu qoplama yuzadan akslanishni 
kamaytiribgina qolmasdan shu bilan birga yuzani passivatsiya ham qiladi va uning 
ishonchliligini 
oshiradi. 
Odatda, 
sirtiga 
nitrid 
kremniy 
o‘tqazilgan 


fotoqabullagichlarda ularni korpusga o‘rnatishga hojat qolmaydi. Akslanishni 
kamaytirish usullaridan yana biri bu yuza sirtini teksturalashdir. Bu usulning 
mohiyati shundan iboratki, yuza sirtida akslanishni kamaytiruvchi relef hosil 
qilinadi, ya’ni sirt ma’lum kristallografik yo‘nalishda emirish xususiyati bo‘lgan 
eritmalar yordamida ishlov beriladi. 

Download 1,73 Mb.
1   ...   30   31   32   33   34   35   36   37   ...   50




Download 1,73 Mb.
Pdf ko'rish

Bosh sahifa
Aloqalar

    Bosh sahifa



Tayyorlash va ularning malakasini oshirishni tashkil etish bosh ilmiy metodik markazi toshkent davlat texnika universiteti huzuridagi

Download 1,73 Mb.
Pdf ko'rish