Qatlamlarni termik ishlov berish usuli bilan olish eng ko‘p
ishlatiladigan
usul bo‘lib, bu usul mikroelektronikada tuzilmalar sirtini passivatsiya qilishda ko‘p
ishlatiladi. Termik usulni asosan SiO
2
olishda ishlatiladi.
Bu usulning asosi
texnologik jarayon davomida kremniyli tuzilmaning sirtini kislorod ta’sirida
okislanishidadir. Haroratning kattaligiga qarab va jarayon sharoitiga qarab kremniy
oksidi xususiyatlari o‘zgarishi mumkin. Usul shartli ravishda ikkiga bo‘linadi, a)
«quruq» usul va b)»ho‘l» usulga. Bu usullar orasidagi farq jarayon haroratining
qiymati va jarayonni o‘tkazilish sharoitidadir. «quruq» usulni o‘tkazish
jarayoni
1100
o
S va undan ortiq haroratda olib boriladi, «ho‘l» usulda harorat 200
o
S gacha
pastroq haroratda qo‘shimcha kislorod atmosferasida olib boriladi. Ayrim hollarda
kislorodga qo‘shimcha suv bug‘i ham beriladi. Bu usul bilan olingan qatlamlar
mikroelektronikada quyidagi vazifalarni bajarishi mumkin.
1)
Fotolitografik jarayonda «niqob» (maska)
sifatida ishlatilib, kontakt olishda
qo‘llaniladi.
2)
QE larida akslanishni kamaytiruvchi qatlam sifatida ishlatiladi.
3)
Ayrim kremniy tuzilmalarida yuzani passivatsiya
va ixota qiluvchi qatlam
sifatida ishlatilishi mumkin.
Qoplamalarning qalinligi ko‘p jihatdan texnologik jarayon sharoitiga va haroratga
bog‘lik bo‘lib, ularni nazorat qilish muhim ahamiyat kasb etadi.
Savollar
1.
Kremniy oksidi aralashmasi SiO
x
ning sindirish ko‘rsatkichi 1,6-1,8 ga
tengdir. Optika qonunlariga asosan uning qoplamadagi
qalinligi qancha
bo‘lish kerak ?
2.
Omik kontaktga qo‘yiladigan talablar qanday ?
3.
Yuza qatlamdagi kirishmalarning o‘ta yuqori konsentratsiyasini hosil qilish
uchun qanday usullardan qo‘llaniladi ?
4.
Kontakt
olish
jarayonining
asosiy
operatsiyalarini
ketma-ketligini
nimalardan iborat.
