Quyosh elementlariga kontakt olish jarayoni marshruti




Download 1,73 Mb.
Pdf ko'rish
bet33/50
Sana07.09.2024
Hajmi1,73 Mb.
#270563
1   ...   29   30   31   32   33   34   35   36   ...   50
Bog'liq
majmua 2

 
Quyosh elementlariga kontakt olish jarayoni marshruti 
Kontakt 
olish 
jarayonining 
asosiy 
operatsiyalarini 
ketma-ketligini 
quyidagilardan iborat.
-
Si r-p tuzilmasini kontakt olishga tayyorlash (ximik yoki ximik-mexanik usul 
bilan kontakt olinadigan yuzani tozalash),
-
strukturaga fotorezist o‘tqazish,
-
fotoshablon yordamida kontakt rasmini tushirish,
-
fotorezistni mustahkamlash, 
-
vakuum qurilmasidan foydalanib ketma-ketlik bilan kontakt materiallarini 
uchirish, 
-
kontakt adgeziyasini yaxshilash uchun kontaktga issiqlik bilan ishlov berish, 
-
fotorezistni yuzadan olib tashlash, 
-
kontakt kesim yuzasini oshirish uchun qalaylash,
-
frontal yuzadan nur qaytarishini kamaytirish uchun uni oksid bilan qoplash,
-
QE tuzilmasidan shunt beradigan qismlarni kesib olib tashlash, 
-
QE ning parametrlarini o‘lchash. 


QE frontal qismidagi yupqa diffuzion jarayon orqali hosil qilingan fosfor 
kirishmali qatlam odatda katta yuza qarshiligiga ega bo‘ladi va uning qiymati 
odatda 50-100 Om/

. Bunday qarshilikni kamaytirish va tuzilma samaradorligini 
saqlash uchun tashqi (frontal) yuzaga to‘rsimon (setka) kontakt olinadi. Bu kontakt 
birinchidan yuzani ko‘p to‘smasligi, ikkinchidan omik bo‘lishi, uchinchidan yupqa 
diffuzion qatlamni teshmasligi kerak. Rasm.20,21 
Rasm. 2 
Kremniy quyosh elementining frontal kontakt ko‘rinishiga oid misol. 1- 
yuzadagi to‘rsimon kontakt (ko‘p qatlamli + pripoy), 2 – shaffoflantiruvchi qatlam, 
3 – legirlangan p-tipdagi yupqa qatlam (0,2 mkm), 4 – 0,5 mkm qalinlikdagi 
xajmiy zaryad qatlami, 5 – 200 mkm qalinlikdagi baza qatlami, 6 – 0,5 mkm 
qalinlikdagi r
+
- qatlam, 7 – orqa tomondagi kontakt qatlami, 8 – tok jamlovchi 
shina, 9 – to‘rsimon tok jamlovchi shina. 
Rasm 3
Tipik kremniy asosidagi quyosh elementiga oid energetik zonali 
diagramma; p-qatlam o‘lchami kattalashtirilgan. 1 – orqa tomonga yaqin 
qismdagi elektr maydoni. 


Izlanishlar natijasi shuni ko‘rsatadiki, odatda yuzada mikroskopik 
kattalikdagi teshilgan uchastkalar hosil bo‘lishi mumkin (yupqa diffuzion 
qatlamlar olinganda) va bunday hollarda R
sh
qarshiligi kamayishi va I
o
ning 
qiymati ortishi mumkin. Buning oldini olish maqsadida kontakt olinadigan yuzaga 
metall maskalar yoki polimer materialdan qilingan va kontakt rasmi tushirilgan 
fotorezist maskalar yordamida yoki akslanishni kamaytiruvchi qatlamlar ustiga 
kontakt olinadi. Kontaktning geometrik shakli (topologiyasi) kontakt olinadigan 
yuza kattaligiga, diffuzion qatlamning qalinligiga va QE larining qaysi sharoitda 
ishlashiga qarab tanlab olinadi. Odatda yuzaga tushayotgan nurni yulini to‘smaslik 
uchun yuzani to‘sish koeffitsientining kattaligi 10 % dan oshirmaslikka harakat 
qilinishi kerak. Konsentrlashtirilgan (zichlashtirilgan) quyosh nurlari bilan 
ishlaydigan QE larda esa yuzani to‘sish koeffitsienti quyosh nurini zichlashtirish 
koeffitsientiga bog‘lik bo‘lib, ayrim hollarda u 50 % oshiqroq bo‘lishi ham 
mumkin.

Download 1,73 Mb.
1   ...   29   30   31   32   33   34   35   36   ...   50




Download 1,73 Mb.
Pdf ko'rish

Bosh sahifa
Aloqalar

    Bosh sahifa



Quyosh elementlariga kontakt olish jarayoni marshruti

Download 1,73 Mb.
Pdf ko'rish