O‘stirish usullari ko‘p bo‘lib ulardan asosiylari jumlasiga quyidagilar kiradi.
1.
Toza moddalardan va legirlangan kirishmali o‘ta to‘yingan
eritmalardan
o‘stirish (vo‘rahivanie iz rasplavov).
2.
Eritmalardan o‘stirish (vo‘rahivanie iz rastvor-rasplavov).
3.
Bug‘ fazasidan o‘stirish.
Stexiometrik tarkibdagi suyuq fazadan kristallarni o‘stirish ( 1 usul) usullari
2 ga bo‘linadi. A) Tigel yordamida o‘stirish usullari; B) Tigelsiz usullar.
Bu usul bir necha ko‘rinishga bo‘linadi. Jumladan, yo‘naltirilgan
kristallizatsiya usuli, «gorizontal» va «vertikal» Bridjmen usuli,
zonali eritish
usuli, Choxralskiy usuli.(12- Rasm).
Rasm 1
Kristallarni Choxralskiy usuli bilan o‘stirish qurilmasi.
1 – vakuum yoki inert muhit; 2 – kristallni tortuvchi sterjen; 3- dastlabki
o‘stirishni belgilovchi kristall; 4 – o‘sib borayotgan kristall; 5 – kvarsdan qilingan
tigel; 6 – yuqori chastotali induktor; 7 – induksion tok ta’sirida =izdiriluvchi
grafit; 8 – kremniy kristalli; 9 – kristallizatsiya fronti; 10 – suyuq kremniy.
Bu usullarning asosini issiqlikni yo‘naltirilgan holda uzatish tashkil qiladi.
Vertikal pechlar uchun xarakterli narsa «kristallizatsiya»» frontini kuzatish
mumkin emasligidir. Yana bir kamchilik o‘sayotgan
kristallning tigl devorlari
bilan doimiy kontaktda bo‘lib turishidir. O‘lchamlari kerakligicha katta
monokristallar olish uchun, butun texnologik jarayon
davomida kristallanish
chegarasi qavariq geometriyali bo‘lishi kerak. Buning uchun tigl devorlarining
harorati suyuq faza haroratidan doimiy yuqori bo‘lishi kerak. Natijada tigl
devorlarida parazit kristallanish markazlari hosil bo‘lishining oldi olinadi.
Zonadan o‘stirish (2-rasmga qarang). Bu usulning
Bridjmen usulidan farqi
shundaki ikkita pech ishlatiladi, biri harorati T
er.
,
ikkinchisi harakatchan
konstruksiyali qisqa zonali harorati T>T
er.
Bu usulda erigan modda tigl devorlari
bilan kamroq kontaktda bo‘lgani uchun o‘stirilayotgan kristall kamroq ifloslanadi.
Eriyotgan va erigan zona qalinligini va uning siljish tezligini o‘zgartirish
imkoniyati mavjud. Shuning uchun bu usul YAO‘ materiallarni yaxshiroq tozalash
imkoniyatini beradi.
Rasm 2
Monokristallarni eritmalardan o‘stirishning tigelsiz usullari.
A – Varneyl usuli; b – vertikal zonali eritish; v – «tomchidan» tortish usuli; g –
«ko‘lmakdan» tortish usuli.
Choxralskiy usuli. Bu usul asosan sanoat ko‘lamida Ge va Si ishlab chiqarishda
ishlatiladi.12- Rasmda CHoxralskiy usulining prinsipial sxemasi berilgan.
YUqoridagi usuldan uning farqlaridan biri bu tigelsiz usul bo‘lib (o‘stirilayotgan
kristallga nisbatan) o‘stirilaetgan kristall o‘lchamini nazorat qilish mumkin, hamda
o‘sish sur’atini nazorat qilish imkoniyati mavjud.
