Tayyorlash va ularning malakasini oshirishni tashkil etish bosh ilmiy metodik markazi toshkent davlat texnika universiteti huzuridagi

O‘stirish usullari ko‘p bo‘lib ulardan asosiylari jumlasiga quyidagilar kiradi. 
1.
Toza moddalardan va legirlangan kirishmali o‘ta to‘yingan eritmalardan 
o‘stirish (vo‘rahivanie iz rasplavov).
2.
Eritmalardan o‘stirish (vo‘rahivanie iz rastvor-rasplavov).
3.
Bug‘ fazasidan o‘stirish.
Stexiometrik tarkibdagi suyuq fazadan kristallarni o‘stirish ( 1 usul) usullari 
2 ga bo‘linadi. A) Tigel yordamida o‘stirish usullari; B) Tigelsiz usullar. 
Bu usul bir necha ko‘rinishga bo‘linadi. Jumladan, yo‘naltirilgan 
kristallizatsiya usuli, «gorizontal» va «vertikal» Bridjmen usuli, zonali eritish 
usuli, Choxralskiy usuli.(12- Rasm). 
Rasm 1 
Kristallarni Choxralskiy usuli bilan o‘stirish qurilmasi. 
1 – vakuum yoki inert muhit; 2 – kristallni tortuvchi sterjen; 3- dastlabki 
o‘stirishni belgilovchi kristall; 4 – o‘sib borayotgan kristall; 5 – kvarsdan qilingan 
tigel; 6 – yuqori chastotali induktor; 7 – induksion tok ta’sirida =izdiriluvchi 
grafit; 8 – kremniy kristalli; 9 – kristallizatsiya fronti; 10 – suyuq kremniy. 

 Bu usullarning asosini issiqlikni yo‘naltirilgan holda uzatish tashkil qiladi. 
Vertikal pechlar uchun xarakterli narsa «kristallizatsiya»» frontini kuzatish 
mumkin emasligidir. Yana bir kamchilik o‘sayotgan kristallning tigl devorlari 
bilan doimiy kontaktda bo‘lib turishidir. O‘lchamlari kerakligicha katta 
monokristallar olish uchun, butun texnologik jarayon davomida kristallanish 
chegarasi qavariq geometriyali bo‘lishi kerak. Buning uchun tigl devorlarining 
harorati suyuq faza haroratidan doimiy yuqori bo‘lishi kerak. Natijada tigl 
devorlarida parazit kristallanish markazlari hosil bo‘lishining oldi olinadi.
Zonadan o‘stirish (2-rasmga qarang). Bu usulning Bridjmen usulidan farqi 
shundaki ikkita pech ishlatiladi, biri harorati Ter.
, ikkinchisi harakatchan 
konstruksiyali qisqa zonali harorati T>T
er.
Bu usulda erigan modda tigl devorlari 
bilan kamroq kontaktda bo‘lgani uchun o‘stirilayotgan kristall kamroq ifloslanadi. 
Eriyotgan va erigan zona qalinligini va uning siljish tezligini o‘zgartirish 
imkoniyati mavjud. Shuning uchun bu usul YAO‘ materiallarni yaxshiroq tozalash 
imkoniyatini beradi.
Rasm 2 
 Monokristallarni eritmalardan o‘stirishning tigelsiz usullari. 

A – Varneyl usuli; b – vertikal zonali eritish; v – «tomchidan» tortish usuli; g – 
«ko‘lmakdan» tortish usuli. 
Choxralskiy usuli. Bu usul asosan sanoat ko‘lamida Ge va Si ishlab chiqarishda 
ishlatiladi.12- Rasmda CHoxralskiy usulining prinsipial sxemasi berilgan. 
YUqoridagi usuldan uning farqlaridan biri bu tigelsiz usul bo‘lib (o‘stirilayotgan 
kristallga nisbatan) o‘stirilaetgan kristall o‘lchamini nazorat qilish mumkin, hamda 
o‘sish sur’atini nazorat qilish imkoniyati mavjud. 

Download 1,73 Mb.