Yarim o‘tazgichli IMSlar
Tranzistorning
ishlatilish
turiga
ko‘ra
yarim
o‘tkazgichli
IMSlarni
bipolyar va
MDYa IMS larga ajratish qabul qilingan. Bundan tashqari,
oxirgi vaqtlarda boshqariluvchi o‘tishli maydoniy tranzistorlar yasalgan IMSlardan
foydalanish katta ahamiyat kasb etmoqda. Bu sinfga galliy arsenidida yasalgan
IMSlar, zatvori Shottki diodi ko‘rinishida bajarilgan maydoniy tranzistorlar kiradi.
Hozirgi kunda bir vaqtning o‘zida
ham bipolyar, ham maydoniy tranzistorlar
qo‘llanilgan IMSlar yaratish tendensiyasi belgilanmoqda.
Ikkala sinfga mansub yarim o‘tkazgichli ISlar texnologiyasi yarim o‘tkazgich
kristallini galma – gal donor va akseptor kiritmalar bilan legirlash (kiritish)ga
asoslangan. Natijada sirt ostida turli o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan yupqa qatlamlar,
ya’ni
n–p–n yoki
p–n–p tuzilmali tranzistorlar hosil bo‘ladi. Bir tranzistorning
o‘lchamlari enigi bir necha mikrometrlarni tashkil etadi.
Alohida elementlarning
izolyatsiyasi yoki
r-n o‘tish yordamida, yoki dielektrik parda yordamida amalga
oshirilishi mumkin. Tranzistorli tuzilma
faqat tranzistorlarni emas, balki boshqa
elementlar (diodlar, rezistorlar, kondensatorlar) yasashda ham qo‘llaniladi.
Mikroelektronikada bipolyar tranzistorlardan tashqari ko‘p emitterli va ko‘p
kollektorli tranzistorlar ham qo‘llaniladi.
Ko‘p emitterli tranzistorlar (KET) umumiy baza qatlami bilan birlashtirilgan bir
kollektor va bir necha (8-10 gacha va ko‘p) emitterdan tashkil topgan. Ular tranzistor
– tranzistorli mantiq (TTM) sxemalarni yaratishda qo‘llaniladi.
Ko‘p kollektorli tranzistor tuzilmasi ham, KET tuzilmasiga o‘xshash bo‘ladi, lekin
integral – injeksion mantiq (I
2
M) deb ataluvchi injeksion manbali mantiqiy sxemalar
yasashdaqo‘llaniladi.
