Baza qatlami asosida bajarilgan rezistorlarda ancha katta qarshiliklar olinadi.
Kondensatorlar. Bipolyar tranzistorli IMSlarda teskari yo‘nalishda siljigan p
–
n o‘tishlar asosida yasalgan kondensatorlar qo‘llaniladi. Kondensatorlarning
shakllanishi yagona texnologik siklda tranzistor va rezistorlar tayyorlash bilan bir
vaqtning o‘zida amalga oshiriladi.
Demak ularni yasash uchun qo‘shimcha texnologik amallar talab qilinmaydi.
MDYa – tranzistorlar. IMSlarda asosan zatvori
izolyatsiyalangan va kanali
induksiyalangan MDYa–tranzistorlar qo‘llaniladi. Tranzistor kanallari p
- va
n– turli
bo‘lishi mumkin. MDYa–tranzistorlar faqat tranzistorlar sifatida emas, balki
kondensatorlar va rezistorlar sifatida ham qo‘llaniladi, ya’ni
barcha sxema
funksiyalari birgina MDYa – tuzilmalarda amalga oshiriladi. Agar dielektrik sifatida
SiO
2
qo‘llanilsa, u holda bu tranzistorlar MOYa–tranzistorlar deb ataladi. MDYa –
tuzilmalarni yaratishda elementlarni bir – biridan izolyatsiya qilish operatsiyasi
mavjud emas, chunki qo‘shni tranzistorlarning istok va stok sohalari bir–biriga
yo‘nalgan tomonda ulangan p
-n o‘tishlar bilan izolyatsiyalangan.
Shu sababli
MDYa–tranzstorlar bir–biriga juda yaqin joylashishi mumkin, demak katta zichlikni
ta’minlaydi.
Bipolyar va MDYa IMSlar
planar yoki
planar – epitaksial texnologiyada yasaladi.
Planar texnologiyada
n-p–n tranzistor tuzilmasini yasashda p–turdagi
yarim
o‘tkazgichli plastinaning alohida sohalariga teshiklari mavjud bo‘lgan maxsus
maskalar orqali mahalliy legirlash amalga oshiriladi. Maska rolini plastina sirtini
egallovchi
kremniy ikki oksidi SiO
2
o‘ynaydi. Bu pardada maxsus usullar
(fotolitografiya) yordamida darcha deb ataluvchi teshiklar shakllanadi. Kiritmalar
yoki diffuziya (yuqori temperaturada ularning konsentratsiya gradienti ta’sirida
kiritma atomlarini yarim o‘tkazgichli asosga kiritish), yoki ionli legirlash yordamida
amalga oshiriladi. Ionli legirlashda maxsus manbalardan
olingan kiritma ionlari
tezlashadi va elektr maydonda fokuslanadilar, asosga tushadilar va yarim
o‘tkazgichning sirt qatlamiga singadilar.
Planar texnologiyada yasalgan yarim o‘tkazgichli bipolyar tuzilmali IMS namunasi
va uning ekvivalent elektr sxemasi 44
a, b - rasmda keltirilgan.
Diametri 76 mmli yagona asosda bir varakayiga usulda bir vaqtning o‘zida har biri
10 tadan 2000 ta element (tranzistorlar,
rezistorlar, kondensatorlar)dan tashkil
topgan 5000 mikrosxema yaratish mumkin. Diametri 120 mm bo‘lgan plastinada
o‘nlab milliontagacha element joylashtirish mumkin.
Zamonaviy IMSlar qotishmali planar – epitaksial texnologiyada yasaladi. Bu
texnologiya planar texnologiyadan shunisi bilan farq qiladiki, barcha elementlar p–
turdagi asosda o‘stirilgan
n–turdagi kremniy qatlamida hosil qilinadi. Epitaksiya deb
kristall tuzilmasi asosnikidan bo‘lgan qatlam o‘stirishga aytiladi.
a) b)
44 – rasm.
Planar – epitaksial texnologiyada yasalgan tranzistorlar ancha tejamli,
hamda
planarliga nisbatan yaxshilangan parametr va xarateristikalarga ega.
Buning uchun asosga epitaksiyadan avval
n
+
- qatlam kiritiladi (45 - rasm). Bu holda
tranzistor orqali tok kollektordagi yuqoriomli rezitordan emas, balki kichikomli
n
+
-
qatlam orqali oqib o‘tadi.
45
–
rasm.
Mikrosxema turli elementlarini elektr jihatdan birlashtirish uchun metllizatsiyalash
qo‘llaniladi. Metallizatsiyalash jarayonida oltin, kumush, xrom yoki alyuminiydan
yupqa metall pardalar hosil qilinadi. Kremniyli IMSlarda metallizatsiyalash uchun
alyuminiydan keng foydalaniladi.
Sxemotexnik belgilariga ko‘ra mikrosxemalar ikki sinfga bo‘linadi.
IMS bajarayotgan asosiy vazifa – elektr signali (tok yoki kuchlanish) ni ko‘rinishida
berilayotgan axborotni qayta ishlash hisoblanadi. Elektr signallari uzluksiz (analog)
yoki diskret (raqamli) shaklda ifodalanishi mumkin.
Shu sababli, analog signallarni qayta ishlaydigan mikrosxemalar –
analog integral
