• 5÷7 marta ) foydalaniladi (negiz qatlamlar, emitterlar, omik kontaktlar hosil qilishda va x.z.). Bunda har gal o‘ziga xos “rasm”li fotoshablonlar ishlatiladi. Legirlash
  • Ion legirlash
  • Texnologiyalari va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi




    Download 361.01 Kb.
    Pdf ko'rish
    bet3/8
    Sana17.05.2023
    Hajmi361.01 Kb.
    #61137
    1   2   3   4   5   6   7   8
    Bog'liq
    Murtazoyev Oybek
    1 Эшонқулов С.К. Электромонтаж, 1668886172, 3-maruza., pul va kredit, O.Bexruz, Base inforamtion of MObile communications step by step (1), Mobil aloqa arxitekturalar, kurs ishi uchun slayd
    Fotolitografiya - yarimo‘tkazgich plastinadagi metall yoki dielektrik pardalar 
    sirtida ma’lum shakldagi lokal sohalarni hosil qilish jarayoni. Ushbu sohalar 
    kimyoviy yemirishdan himoyalangan bo‘lishi shart. Fotolitografiya jarayonida 
    ultrabinafsha nur ta’sirida o‘z xususiyatlarini o‘zgartiruvchi, fotorezist deb 
    ataluvchi, maxsus moddalar ishlatiladi. 
    2.2.-rasm. Fotorezist tuzilmasi 
    Fotorezist oksidlangan kremniy plastinasi sirtiga surtiladi va kvarts shisha 
    niqob orqali yoritiladi. Niqoblar shaffof va shaffof emas sohalarga ega bo‘lgani 
    uchun fotorezistning ma’lum sohalariga yorug‘lik (ultrabinafsha nur) ta’sir etib, 
    uning xususiyati o‘zgartiriladi. Bunday niqoblar fotoshablonlar deb ataladi. 


    2.3.-rasm. Fotoshablon tuzilmasi 
    2.4.-rasm.Yorug‘lik ma’sir etmagan fotorezist olib tashlangan plastina. 
    2.5.-rasm. Kremniy (SiO
    2
    )oksidi yemirilishi 
    2.6.-rasm. Fotorezistni olib tashlash 


    IMS tayyorlashda fotolitografiya jarayonidan bir necha marta (5÷7 marta
    foydalaniladi (negiz qatlamlar, emitterlar, omik kontaktlar hosil qilishda va x.z.). 
    Bunda har gal o‘ziga xos “rasm”li fotoshablonlar ishlatiladi. 
    Legirlash - yarimo‘tkazgich hajmiga kiritmalarni kiritish jarayoni. IMSlar 
    tayyorlashda legirlash sxemaning aktiv va passiv elementlarini hosil qilish hamda 
    zarur o‘tkazuvchanlikni ta’minlash uchun kerak. Diffuziya yordamida legirlash 
    butun kristall yuzasi bo‘ylab yoki niqobdagi tirqishlar orqali ma’lum sohalarda 
    (lokal) amalga oshiriladi. 
    Ion legirlash yetarli energiyagacha tezlatilgan kiritma ionlarini niqobdagi 
    tirqishlar orqali kristalga kiritish bilan amalga oshiriladi. Ion legirlash universalligi 
    va oson amalga oshirilishi bilan xarakterlanadi. Ionlar tokini o‘zgartirib legirlovchi 
    kiritmalar kontsentratsiyasini, energiyasini o‘zgartirib esa – legirlash chuqurligini 
    boshqarish mumkin. 
    Yemirish - yarimo‘tkazgich, uning sirtidagi oksidlar va boshqa birikmalarni 
    kimyoviy moddalar hamda ularning aralashmalari yordamida eritib tozalash 
    jarayoni.
    Yemirish yarimo‘tkazgich sirtini tozalash, oksid qatlamda “darcha”lar ochish 
    va turli ko‘rinishga ega bo‘lgan “chuqurchalar” hosil qilish uchun qo‘llaniladi. 
    Yarimo‘tkazgich sirtini tozalash va “darcha”lar hosil qilish uchun izotrop 
    yemirishdan foydalaniladi, bunda yarimo‘tkazgich barcha kristallografik 
    yo‘nalishlar bo‘ylab bir xil tezlikda eritiladi. 

    Download 361.01 Kb.
    1   2   3   4   5   6   7   8




    Download 361.01 Kb.
    Pdf ko'rish

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Texnologiyalari va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi

    Download 361.01 Kb.
    Pdf ko'rish