• Plastinalarni kristallarga ajratish va yig‘ish operatsiyalari.
  • Texnologiyalari va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi




    Download 361.01 Kb.
    Pdf ko'rish
    bet4/8
    Sana17.05.2023
    Hajmi361.01 Kb.
    #61137
    1   2   3   4   5   6   7   8
    Bog'liq
    Murtazoyev Oybek
    1 Эшонқулов С.К. Электромонтаж, 1668886172, 3-maruza., pul va kredit, O.Bexruz, Base inforamtion of MObile communications step by step (1), Mobil aloqa arxitekturalar, kurs ishi uchun slayd
    Pardalar hosil qilish. Pardalar IS elementlarini elektr jihatdan ulash hamda 
    rezistorlar, kondensatorlar va gibrid ISlarda elementlar orasidagi izolyatsiyani 
    amalga oshirish uchun qo‘llaniladi. Misol tariqasida metallashni – kristall yoki asos 
    sirtida metall pardalar hosil qilish jarayonini ko‘rib chiqamiz. Metallash uchun oltin, 
    nikel, kumush, alyuminiy va Cr-Au, Ti-Au va boshqalar ishlatiladi. 
    Kremniy asosidagi IMSlarda metallashni amalga oshirish uchun asosan 
    alyuminiydan foydalaniladi. Metallash jarayoni yarimo‘tkazgich plastina hajmida 
    sxema elementlari hosil qilingandan so‘ng amalga oshiriladi. 
    Plastinalarni kristallarga ajratish va yig‘ish operatsiyalari. Barcha asosiy 
    texnologik operatsiyalar bajarib bo‘lingandan so‘ng, yuzlarcha va undan ko‘p 
    ISlarga ega plastina alohida kristallarga bo‘linadi. 
    Plastinalar lazer skrayber yordamida, ya’ni tayyorlangan ISlar orasidan lazer 
    nurini yurgizib kristallarga ajratiladi. Ishlatishga yaroqli kristallar qobiqlarga 
    o‘rnatiladi, bunda kristal avval qobiqqa yelimlanadi yoki kavsharlanadi. So‘ng 
    kristal sirtidagi kontakt yuzachalar qobiq elektrodlariga ingichka (ø 20÷30 mkm) 
    simlar yordamida ulanadi. 
    Simlar ulanayotganda termokompressiyadan foydalaniladi, ya’ni ulanayotgan 
    sim bilan kontakt yuzachasi yoki mikrosxema elektrodi 200÷300 0S temperaturada 
    va yuqori bosimda bir – biriga bosib biriktiriladi. Montaj operatsiyalari tugagandan 
    so‘ng kristall yuzasi atrof muhit atmosferasi ta’siridan himoyalash uchun 
    qobiqlanadi.
    Odiiy integral sxemalarda chiqish elektrodlari soni 8-14 ta, KISlarda esa 64 
    tagacha va undan ko‘proq bo‘lishi mumkin.
    ISlar qobiqlari metall yoki plastmassadan tayyorlanadi. 


    2.7.-rasm. ISlarning qobiqsiz turlari. 
    2.8.-rasm. IMS printsipial sxemasi 
    2.9.-rasm. IMS tuzilishi 



    Download 361.01 Kb.
    1   2   3   4   5   6   7   8




    Download 361.01 Kb.
    Pdf ko'rish

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Texnologiyalari va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi

    Download 361.01 Kb.
    Pdf ko'rish