• Yarimo‘tkazgich IMSlar yaratishda texnologik jarayon va operatsiyalar
  • Texnologiyalari va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi




    Download 361.01 Kb.
    Pdf ko'rish
    bet2/8
    Sana17.05.2023
    Hajmi361.01 Kb.
    #61137
    1   2   3   4   5   6   7   8
    Bog'liq
    Murtazoyev Oybek
    1 Эшонқулов С.К. Электромонтаж, 1668886172, 3-maruza., pul va kredit, O.Bexruz, Base inforamtion of MObile communications step by step (1), Mobil aloqa arxitekturalar, kurs ishi uchun slayd
    IMSlarning belgilanish tizimi 
    • 
    IMSlar 6ta elementdan iborat bo‘lgan belgilanish tizimi yordamida 
    klassifikatsiyalanadi: 
    • 
    Birinchi element (K – harfi) – IMS keng ko‘lamda qo‘llanilish uchun 
    mo‘ljallanganligini bildiradi. 
    • 
    Eksport uchun mo‘ljallanganlari EK harflari bilan belgilanadi. 
    • 
    Ikkinchi element (harf) material va kobiq turini bildiradi (A- plastmassali 
    planar, Ye-metall-polimerli, chiqishlari 2qator qilib yasalgan,
    • 
    I-shishakeramikli planar, B-qobiqsiz va x.z.). 
    • 
    Uchinchi element (bitta son) – IMSning konstruktiv-texnologik turini 
    bildiradi (1,5,6,7-yarimo‘tkazgichli, 2,4,8-gibrid, 3-boshqa: pardali, keramik, 
    vakuumli). 
    • 
    To‘rtinchi element (ikkita yoki uchta son) – IMS seriyasining tartib raqamini 
    bildiradi. Ikkita son birlalikda-aniq seriya raqamini bildiradi. 
    • 
    Beshinchi element (ikkita harf) – IMSning funktsional vazifasini bildiradi. 
    • 
    Oltinchi element bir turdagi IMS seriyalari ichidagi ishlanma tartib raqamini 
    bildiradi. 


    Yarimo‘tkazgich IMSlar yaratishda texnologik jarayon va operatsiyalar 
    Yarimo‘tkazgich IMSlar tayyorlash uchun asosiy material bo‘lgan - kremniy 
    monokristal quymalari olishdan boshlanadi (Choxralskiy usuli). Hosil bo‘lgan 
    kremniy quymasi n– yoki r–turli elektr o‘tkazuvchanlikka ega bo‘ladi. Quyma 
    uzunligi 150 sm, diametri esa 150 mm va undan katta bo‘lishi mumkin. Zonali eritish 
    usulida monokristal ifloslantiruvchi kiritmalardan qo‘shimcha tozalanadi. 
    Epitaksiya. Epitaksiya jarayoni asos sirtida uning kristall tuzilishini 
    takrorlovchi yupqa monokristal ishchi qatlamlar hosil qilish uchun ishlatiladi.
    Gaz fazali va suyuq fazali epitaksiya usullari keng tarqalgan bo‘lib, ular 
    monokristal asos sirtida n– yoki r–turli o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan epitaksial 
    qatlamlar hosil qilish imkonini beradi. 
    Termik oksidlash. Termik oksidlash – kremniy sirtida oksid (SiO2) qatlam 
    (parda) hosil qilish maqsadida sun’iy yo‘l bilan oksidlashdan iborat jarayon. U 
    yuqori (1000÷1200) 0S temperaturalarda kechadi. 
    2.1.-rasm. IMS tuzilmasi 

    Download 361.01 Kb.
    1   2   3   4   5   6   7   8




    Download 361.01 Kb.
    Pdf ko'rish

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Texnologiyalari va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi

    Download 361.01 Kb.
    Pdf ko'rish