U. U. Iskandarov, O. S. Rayimdjanova, M. A. Akbarova, S. J. Yo‘lchiboyeva

Download 2,84 Mb. Pdf ko'rish
bet	51/61
Sana	04.12.2023
Hajmi	2,84 Mb.
	#110820

1 ... 47 48 49 50 51 52 53 54 ... 61

Bog'liq
elektronika

Tunnel diodlari elektr buzilishi yuz berishiga «Tunnel effekti» ‘odisasi ‘am sabab
bo’lishi mumkin. Tunnel effekti deganda р-n o’tishga teskari kuchlari ulanganda tok
tashuvchilarni potensial to’siqni oshib emas, balki «teshib» o’tish ‘odisasi tushuniladi.
Uning asosiy xususiyati jarayonning energiya yutilmagan xolda borishidir.
Tunnel effektining kattaligi р-n o’tish qatlamining kattaligiga boliq bo’ladi. Bu
qatlam qancha tor va undagi elektr maydon qancha kuchli bo’lsa, effekt shuncha katta
bo’ladi.
Tunnel effekti asosida ishlaydigan diodlar tunnelp diodlari deb ataladi. Ulardan n-
so’adagi donorlar va r – so’adagi akseptorlar soni oddiy diodlardagidan minglab marta
ko’p bo’ladi. Donor va akseptor modda konsentratsiyasining bunday katta miqdorda
bo’lishi р-n o’tish so’asining juda yupqa bo’lishini taominlaydi. Shuning uchun tokning
kattaligi ikki xil jarayon - Tunnelp effekti va diffuziya xossasi bilan belgilanadi.
Agar tashqi manba kuchlanishi ‘osil qiladigan eletr maydon р-n o’tishning
potensial tusiga maydoni bilan mos tushsa (oddiy dioddagi teskari ulanish), р-n
o’tishdan Tunnelp effekti ‘isobiga tok o’tadi. Agar, u aksincha bo’lsa (oddiy dioddagi
to’ri ulash), potensial to’siq maydoni kichrayadi va tunnelp effekti kamayadi. Shuning
uchun tashqi maydon ortishi bilan tunnelp toki kichrayib diffuziya toki orta boshlaydi
va tashqi kuchlanishning biror qiymatidan boshlab tunnelp toki nolga aylanib, faqat

143
diffuziya toki qoladi. Demak, tunnelp diodning volpt-amper xarakteristikasi ana shu ikki
tokning natijaviy qiymati orqali belgilanadi.
Tunnelli diodning konstruksiyasi va VAXi 1.14-rasmda ko’rsatilgan.
a)

b) v)
12.2.4 - rasm. Tunnelli diodning konstruksiyasi (a, b) va VAX i (v);
1–chiqiqlar, 2–kontakt simga, 3–keramikali vtulka, 4–kristall.
Manfiy kuchlanishlar so’asida tunnelp effekti ‘isobiga yetarlicha katta tok o’tadi
(diodning qarshiligi kichik). Musbat kuchlanishlar so’asining 0   qismida (1.14 -
rasm ) ‘am natijali tok tunnelp toki bilan belgilanadi. Xaraktiristikaning  nuqtasiga
to’ri keladigan kuchlanish chegaraviy kuchlanish ‘isoblanadi. Undan keyingi
qiymatlarda tunnelp toki keskin kamayib, diffuziya toki orta boshlaydi. Shuning uchun
xarakteristikaning b oraliida natijaviy tokning kamayishi kuzatiladi. b nuqtaga
yetganda, tunnelp toki nolga aylanadi va xarakteristika diffuziya toki bilan belgilanadi
(b  v qism).

144
Demak, tunnelp diodining volpt-amper xarakteristikasi oddiy diodnikidan tubdan
farq qiladi. Unda, birinchidan, ventilp xususiyat kuzatilmaydi va ikkinchidan, manfiy
differensiyal qarshilik so’a vujudga keladi (b qism).
Tunnelp diodlarining yana bir xarkterli xususiyati ularda inersionlikning ozligidir.
Diodlarning bunday ish rejimidan yuqori va o’ta yuqori chastotali elektro magnit
to’qinlari generatsiyalashda foydalaniladi. Bundan tashqari, tunnelp diodlari signallarni
kuchaytirish va kommutatorlashda ishlatiladi. Tunnelp diodlarining asosiy parametrlari
quyidagilar:
•
Manfiy differensial qarshilikning kattaligi.
•
Tokning eng katta qiymati (I
1
).
•
Tokning eng katta va eng kichik qiymatlari orasidagi munosabat.
•
Kuchlanishning eng katta va tushuvchi qiymatlari (u, ub).
Tunnelli diodlar (12.2.4 - rasm) "aynigan", "р-n" - o’tish qatlami yuqori
legirlangan yarim o’tkazgich materialdan tayyorlangan bo’ladi. VAX ning to’ri tok
qismida, tunnelp effekti natijasida, manfiy qarshilikli (ab) so’a ‘osil bo’ladi.
Ikkala tomoni bir xil energetik sat’ga ega bo’lgan potensial barperdan, kinetik
energiyasi kam bo’lgan zarracha maolum sharoitda energiyasini yo’qotmasdan, bu
barperni yengishi mumkin. Bunday effektga tunnel effekti deyiladi. Tunnelp effekti "р-
n" - o’tish ‘ajmi zaryadining tor qismida yaxshi seziladi.

Download 2,84 Mb.

1 ... 47 48 49 50 51 52 53 54 ... 61

Download 2,84 Mb.

Pdf ko'rish