Ucm umum = Ucm1
+
Usm1 +….+ Usm1
Stabilitronning parametrlari quyidagilar:
140
I. Stabilizatsiya kuchlanishi.
2. Stabillashgan kuchlanishning ‘arakat koeffitsienti.
3. Differensial qarshiligi.
12.2.1 - rasm. Kremniyli
stbilitronning konstruksiyasi (a)
va VAXi (b);
1,8 – tashqi chiqiq, 2 –
trubka, 3 – izolyator, 4 – korpus, 5
– ichki chiqiq, 6 – kristall, 7 –
kristall tutqich.
12.2.2 - rasm. Varikap konstruksiyasi
(a) va VFX i (b);
1 –chiqiqlar, 2 –ichki chiqiqlar, 3 –
korpus, 4 –ichki kontakt, 5 – kristall, 6 –
surma oltin qotishmasi, 7 – kristall tutqich.
Varikaplar – yarimo’tkazgichli diod bo’lib, siimi teskari yo’nalishidagi
kuchlanishga boliq bo’ladi. Teskari kuchlanish ortishi bilan р-n o’tish siimining
kamayishi quyidagicha:
141
n
k
u
u
C
С
1
0
φ
φ
+
=
(12.2.1)
Bu yerda
k
–kontakt potensiallar ayirmasi; Cu- kuchlanish u qiymatga siimi; So –
diodga kuchlanish berilmagan ‘oldagi siimi; n- varikarning turiga boliq bo’lgan
koeffitsent (n= 2,3,4…n).
Bundan teskari kuchlanishning ortishi bilan р-n o’tishning kengligi ortadi va siim
kichrayadi. Bu bolanish varikapning volptfara da xarakteristikasi deyiladi.
Varikaplar ko’pincha galliy arsenid yarimo’tkazgichdan tayyorlanib asosiy
bo’lmagan zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi kam bo’ladi. Teskari yo’nalishdagi
differensial qarshiligi katta bo’ladi.
12.2.3 - rasmda varikapning konstruksiyasi (a) va kolptfarada xarakteristika (VFX)
keltirilgan (b).
12.2.3 - rasm. Varikap konstruksiyasi
(a) va VAXi (b); 1 –chiqiqlar, 2 –ichki chiqiqlar, 3 – korpus, 4 –ichki kontakt, 5 –
kristall, 6 – surpma oltin qotishmasi, 7 – kristall tutqich.
Varikaplar zanjirdagi chastotani avtomatik sozlashda, chastota ko’paytirgichlarda,
gibridli mikrosexemalarda va ‘.k. qo’laniladi. Ularning asosiy parametrlari quyidagilar:
142
1. Siimning nominal qiymati -S
nom
;
2. Siimning maksimal (S
max
) va minimal (S
min
) qiymati;
3. Siimning ‘arakat koeffitsienti (STK)
Т
С
С
CТТ
ном
=
(12.2.2)
4. Assllik– Q
Berkitish koeffitsienti –
min
max
C
С
К
с
=
(12.3.3)
|
