135
OKlarda kirish kaskadi sifatida differensial kuchaytirgich (DK) qo'llaniladi. M
a’lum ki, DK chiqishdagi nol dreyfini
m aksim al kamaytirishga, yuqori kuchaytirish
koeffitsientiga, maksimal yuqori kirish qarshiligiga va sinfaz tashkil etuvchilarni
maksimal so'ndirishga imkon beradi. Muvofiqlashtiruvchi
kaskad talab qilingan
kuchaytirishni ta ’minlaydi va DK chiqishidagi o'zgarm as kuchlanish sathi siljishini
chiqish kaskadi uchun talab etilgan qiym atgacha kam aytiradi. Muvofiqlashtiruvchi
kaskad differensial yoki bir taktli kuchaytirgich bo'lishi mumkin.
Chiqish kaskadlari
OKning kichik chiqish qarshiligini va lozim bo'lgan chiqish quvvatini ta ’m inlashi
kerak. Chiqish bosqichlari sifatida, odatda AB sinfga
m ansub kom p lem en tar
tranzistorlar asosida hosil qilingan ikki taktli kuchaytirgich sxemalari qo‘llaniladi Uch
kaskadli OKning soddalashtirilgan prinsipial sxemasi 9.16- rasm da keltirilgan. Sxem
ada quyidagi elektrodlar ko ‘rsatilgan: inverslamaydiga kirish Kiri, inverslaydigan kirish
Kir2, chiqish, ikki qutbli kuchlanish manbayiga ulash uchun xizmat qiluvchi elektrodlar
-E
M
va +E
U
, sxemaga korreksiyalovchi kuchlanish manbayi ulangan elektrod U
KOR
.
11.2.2-rasm Uch kaskadli OK prinsipial sxemasi
136
Kirish kaskadi VTl va VT2 tranzistorlarda tuzilgan klassik DK sxemasi bo‘lib,
yuklama sifatida R
KI
va R
K2
rezistorlar q o ‘llanilgan. Ularning em itter toklari o
‘zgarmasligini VT3 va VT4 tranzistorlarda qurilgan BTG ta ’minlaydi. Kuchaytirgichda
sochilayotgan
quw atni kamaytirish maqsadida, BTGning Rs/L siljitish rezistori
OKning bitta kuchlanish m anbayidan ( ~E
M
) ta ’m inlanadi. R
E1
va R
E2
rezistorlar
yuklama toki bo‘yicha mahalliy ketma-ket manfiy TAni tashkil etadilar va DKning
kirish qarshiligini oshiradilar. Muvofiqlashtiruvchi kaskad p—n—p turdagi VT5 va
VT6 tranzistorlar asosidagi DKda hosil qilingan. Qarama-qarshi o'tkazuvchanlikka ega
bo'lgan p—n—p turdagi tranzistorlarning qo‘llanilishi chiqish
kaskadi chiqishidagi
kuchlanishni deyarli nolgacha siljitish imkonini beradi. Birinchi kaskad chiqishida
kirish signalining sinfaz tashkil etuvchisi deyarli mavjud bo‘lmaganligi sababli, ikkinchi
kaskadda uni so‘ndirish talab qilinmaydi. Shuning uchun VT5 va VT6 tranzistorlarning
em itter zanjirlarida BTG qo‘llanilmaydi. Bu holat ikkinchi kaskad toklarini milliamper
darajaga ko‘tarish va kuchaytirish koeffitsientini yana 30 marta va undan yuqori
qiymatga oshirish imkonini beradi. Ikkinchi kaskad nosimmetrik chiqishga ega. Bu.iing
natijasida VT5 tranzistor kollektor zanjirida rezistor qo‘llanilmaydi.
