ma’ruza. Elektronika va sxemalar fani, mazmuni va usullari. Elektr signallari kuchaytirgichlari. Teskari aloqa va uni kuchaytirish qurilmalarining xarakteristikalariga ta’siri. Elektronika va sxemalar fani, mazmuni va usullari

Download 1,26 Mb.
bet	1/9
Sana	09.02.2024
Hajmi	1,26 Mb.
	#153743

Bog'liq
1-maruza
MTA Majmua(2021), 1, 4-Karno kartadan foydalanib mantiqiy ifodalarni minimallash, Kalendar reja algoritm, Ishchi dastur(Dasturlash I) 24.11.2021, 1 -amaliyot, 4-Lab, Yurtimiz mustaqillikga erishishidan oldin milliy urf odat, 7-8-mavzuDT larni sertifikatlashtirish, Axborotlarni izlash va ajratib olish fanidan mustaqil ish Mavzu, Abdulla Oripov O\'zbekiston (qasida), 2 lab Yarashov Diyorbek, TATU NF Hemis axborot tizimi, Algo 1-299, prezentatsiya

1-MA’RUZA. ELEKTRONIKA VA SXEMALAR 2 FANI, MAZMUNI VA USULLARI. ELEKTR SIGNALLARI KUCHAYTIRGICHLARI. TESKARI ALOQA VA UNI KUCHAYTIRISH QURILMALARINING XARAKTERISTIKALARIGA TA’SIRI. Elektronika va sxemalar 2 fani, mazmuni va usullari. Integral mikrosxemalarning yaratilish tarixi. nanoelektronika, funksional elektronika. Zamonaviy axborot va kommunikatsiya texnologiyalari murakkab tizim sinfiga mansub bo‘lib, ular turli murakkablikdagi elektr sxemalardan tashkil topgan. Shuning uchun ushbu tizimlarni shakllantiruvchi elektron asboblarni o‘rganish dolzarb masalalardan biri hisoblanadi. Ushbu fan telekommunikatsiya texnologiyalari, kompyuter texnikasi va boshqa ko‘plab sohalarda ishlatiladigan elektron qurilmalar turlarini, xarakteristikalarini, ularning tuzilishi, ishlash mexanizimlari va ular yordamida yaratiladigan murakkab qurilmalarning texnologik va sxemotexnik xususiyatlarini o‘rganish masalalarini o‘z ichiga oladi. “Elektronika va sxemalar 2” fani “Elektronika va sxemalar 1” fanining bevosita davomi bo‘lib, unda integral mikrosxemalar, ularning yasalishi, turlari, ishlash tamoyillari va ular asosida yasalgan murakkab elektron qurilmalar o‘rganiladi. Ushbu kursda IMS (integral mikrosxema) lar asosidagi differentsial va operatsion kuchaytirgichlar, mantiqiy elementlar va optoelektron asboblar haqida nazariy va amaliy bilimlar beriladi. Elektrotexnika va ayniqsa elektronika rivojlanib borar ekan, integral mikrosxemalarning ixtiro qilinishi zamonning inkor etib bo‘lmas jiddiy talabiga aylanib bordi. Deyarli bir vaqtning o‘zida bir-biridan bexabar ikki muhandis ixtirochi Djek Kilbi (ing. Jack St. Clair Kilby) va Robert Noys (ing. Robert Norton Noyce) integral mikrosxemani ixtiro qilishgan. IMS bu - juda kichik o‘lchamga keltirilgan elektr zanjiri bo‘lib, u turli xil yarimo‘tkazgichlarni qo‘llash asosida tayyorlanadi. Ba’zan IMSni oddiygina qilib mikrochip ham deyiladi. Shunday IMS-mikrochiplar hozirgi kunda deyarli barcha turdagi elektron uskunalarda - oddiy choy qaynatuvchi elektr choynakdan tortib, murakkab kosmik apparatlarda ham keng qo‘llanilmoqda. IMSlarda yarimo‘tkazgichlarning o‘tkazuvchanlik xususiyatini elektr maydoni orqali boshqariladi. Monolit IMSlarning ixtiro qilinishi esa, avvallari alohida-alohida tayyorlangan va sxemalarda ham alohida joylashtirilgan elementlar - tranzistorlar, rezistorlar, kondensator va hokazolarni, yarimo‘tkazgich materialdan tayyorlangan bitta kristall mikrochipga favqulodda juda kichik ixcham o‘lchamlarda joylashtirish imkonini berdi. Boz ustiga, sxemalarni qo‘lda yig‘ishdan ko‘ra, IMSni avtomatik yig‘ilishi - juda tezkor va samarali jarayon bo‘lib, bu o‘z navbatida elektron sxemalarning ishonchliligining oshishi va tannarxining kamayishiga sabab bo‘ladi. Integral mikrosxemalar hozirda fotolitografiya usulida trafaret yordamida turli shakllar yasash orqali tayyorlanadi. Integral mikrosxemalar juda ixcham bo‘lgani uchun unda turli elementlarning orasidagi masofa juda kichik bo‘ladi. Bu esa elektr zanjirida yig‘ilgan mantiqiy elementlarning tezkorligini oshrishga xizmat qiladi. Elektr zanjiri elementlarini yagona qurilmada (mikrointegral sxemalarda) jamlash sohasidagi urinishlar o‘tgan asrning 20-yillarda vakuum asboblarinidan boshlangan. Integral sxemalardan farqli o‘laroq, u soliqlardan qochish uchun mo‘ljallangan edi, chunki Germaniyada radiolar radiodagi elementlarning elektrodlari soniga qarab undiriladigan soliqqa tortilgan. Bu radiolarga bitta telefon ushlagichiga ega bo‘lish imkonini berdi. Integral mikrosxemaning dastlabki tushunchalari 1949 - yilda nemis muhandisi Verner Yakobi (ing. Werner Jacobi) (Siemens AG) uch bosqichli kuchaytirgichda umumiy asosda beshta tranzistor bo‘lgan integral sxemaga o‘xshash yarimo‘tkazgichli kuchaytirgich qurilmasi uchun patent topshirgan paytdan boshlanadi. Verner Yakobi kichik va arzon eshitish vositalarini o‘zining patenti uchun odatiy sanoat foydalanishlari sifatida ta’riflagan. Uning patentidan darhol tijorat maqsadlarida foydalanish haqida xabar berilmagan. 1958 - yilda Djek Kilbi germaniydan tayyorlangan birinchi integral sxemani ishlab chiqadi. U ishlab chiqqan asl gibrid integral sxema 1.1-rasmda keltirilgan. 1.1-rasm. Djek Kilbining dastlabki integral sxemasi Integral mikrosxemalarni ishlab chiqish kontseptsiyasining yana bir ilk tarafdori Buyuk Britaniya Mudofaa vazirligiga qarashli Qirollik radiolokatsiya muassasasida ishlagan olim Djeffri Uilyam Arnold Dammer (ing. Geoffrey William Arnold Dummer) (1909-2002) edi. Dammer bu g‘oyani 1952 - yil 7 - mayda Vashingtonda sifatli elektron komponentlar rivojlanishiga bag‘ishlangan simpoziumda ommaga taqdim etdi. U o‘z g‘oyalarini targ‘ib qilish uchun ko‘plab ommaviy simpoziumlar o‘tkazdi va 1956 - yilda bunday sxemani qurishga urinib ko‘rgan. 1953-1957 yillar orasida Sidni Darlington (ing. Sidney Darlington) va Yasuo Tarui (ing. Yasuo Tarui) bir nechta tranzistorlar umumiy faol sohani bo‘lishishi mumkin bo‘lgan shunga o‘xshash integral sxema dizaynlarini taklif qilishdi. Ushbu integral sxemada tranzistorlarni bir-biridan ajratib turadigan elektr izolyatsiyasi mavjud bo‘lmagan. Jan Xorni (ing. Jean Amedee Hoerni) tomonidan ishlab chiqilgan planar jarayon texnologiyasi va Kurt Legovets (ing. Kurt Lehovec) tomonidan ishlab chiqilgan p-n o‘tishning izolyatsiyasi tufayli yahlit integral mikrosxemani yaratish imkonini berdi. Jan Xorni ixtirosi, Moxamed Atallaning (ing. Mohamed Martin Atalla) sirtni passivatsiya qilish (korroziyadan himoya qilishn jarayoni) bo‘yicha ishlari, shuningdek, Fuller (ing. Calvin Souther Fuller) va Ditsenbergerning (ing. Ditzenberger J.A.) bor va fosfor kirishmalarini kremniyga diffuziyaga oid ishlari, Karl Frosh (ing. Carl John Frosch) va Linkoln Derikning (ing. Lincoln Derick) sirtni himoya qilish bo‘yicha ishlari va Sa Chjitanning (ing. Chih-Tang Sah) diffuziya uchun oksidli niqoblash bo‘yicha ishlarida integral mikrosxema yasash asoslari yaratildi. Download 1,26 Mb.

Download 1,26 Mb.