Xotira modullarining quyidagi xillari mavjud




Download 332.83 Kb.
Pdf ko'rish
bet7/8
Sana16.12.2023
Hajmi332.83 Kb.
#121005
1   2   3   4   5   6   7   8
Bog'liq
1-мавзу, ustki qism (1), 3 ДМТТ ЖАМОА ШАРТНОМАСИ жш (Lotincha), 50910203 hamshiralik ishi NAMUNAVIY DASTUR (3), anatomiya test, 23, 1-amaliy ish, computer science advocacy, jahongir 3lab (5), Sharifboyev Jaxongir O\'rnatilgan tizimlar fanidan mustaqil ish 2
6. Xotira modullarining quyidagi xillari mavjud
SIMM (Single Inline Memory Module) - ulanish nuqtalari bir tomonda
joylashtirilgan xotira modullari (rus tilida - модуль памяти с односторонним
расположением выводов);
DIMM (Dual Inline Memory Module - ulanish nuqtalari ikki tomonda
joylashtirilgan xotira modullari (rus tilida - модуль памяти с двухсторонним
расположением выводов).
SIMM platalarda bir tomonda joylashtirilgan ulanish nuqtalariga (kontaktlarga)
ega bo‘lib, bunday modullarda bir taktli siklda ma’lumotlami uzatish tezligi 32 bitni
tashkil qiladi.
DIMM platalari esa ikki tomonda joylashgan, har birida 84 tadan, jami 168 ta
ulanish nuqtasiga ega. Ushbu xildagi modullarda bir taktli siklda ma’lumotlami
uzatish tezligi 64 bitni tashkil qiladi, ya’ni avvalgisidan ikki barobar tezkorroq.
Dinamik TXQ (Dynamic RAM - DRAM). Bu xildagi xotirani qurishda
triggerlar ishlatilmaydi. Dinamik TXQ tranzistorlar va juda kichik kondensatorlardan
qurilgan, yacheykalar to‘plamidan iborat bo‘ladi. Kondensatorlar zaryadlangan va


16
zaryadlanmagan holatlarda bo‘lishi mumkin, bu hol 1 va 0 ni saqlash imkonini
beradi. Kondensatorda zaryad yo‘qolishi mumkin bo‘lganligi sababli, bu xildagi
xotirada ma’lumotlar yo‘qolib ketmasligi uchun har bir bit, vaqti-vaqti bilan qayta
zaryadlanib turishi kerak bo‘ladi. Dinamik TXQda bir bit axborotni saqlash uchun 1-
ta tranzistor va 1 ta kondensator kerak bo‘ladi. Statik TXQda esa bir bit axborotni
saqlash uchun kamida 6-ta tranzistor kerak bo‘ladi. Shuning uchun asosiy xotira
deyarli har doim dinamik TXQ asosida quriladi. Dinamik TXQ, statik TXQga
nisbatan ancha sekin ishlaydi. Dinamik TXQning bir necha xillari mavjud:
-
FPM (Fast Page Mode) - tezkor sahifalar rejimiga ega dinamik xotira (rus
tilida - быстрый постраничный режим);
-
EDO (Extended Data Output)
-
ulanish nuqtalarining imkoniyatlari
kengaytirilgan dinamik xotira
-
(rus tilida
-
память с расширенными
возможностями вывода);
-
DRAM, SDRAM (Synchronous RAM) - sinxron dinamik TXQlari (rus tilida -
синхронное динамическое ОЗУ);
-
DDR (Double Data Rate) - ma’lumotlami ikki karra tez uzata oluvchi (rus tilida
- передача данных с двойной скоростью).
Doimiy xotira qurilmalari. Elektr manbai uzilganda ham ma’lumotlami saqlay
oladigan xotira - doimiy xotira qurilmasi (DXQ) deb ataladi (ROM - Read-Only
Memory, rus tilida - постоянное запоминающее устройство - ПЗУ). Odatda doimiy
xotira qurilmalaridagi axborotni o‘zgartirish yoki o‘chirib tashlash mumkin emas.
Ammo hozirda DXQni ishlab chiqarish paytidagina emas, balki uni qo‘llashdan
avval, ya’ni uni ishlatish paytida ham axborotni yozish mumkin bo‘lgan va axborotni
o‘chirib yozish mumkin bo‘lgan doimiy xotira qurilmalari ham ishlab chiqilgan. Ular
quyidagicha nomlanadilar:
-
PROM (Programmable ROM) - programmalanadigan doimiy xotira qurilmasi
(rus tilida - программирумые ПЗУ).
-
EPROM (Erasable PROM) - axborotni o‘chirish va qayta yozish mumkin bo‘lgan
programmalanadigan 
doimiy 
xotira 
qurilmasi 
(rus 
tilida
-
стираемое
программируемое ПЗУ);
-
EEPROM (Electronically EPROM) - axborotni elektron tarzda o‘chirish va yozish
mumkin bo‘lgan programmalanadigan doimiy xotira qurilmasi (rus tilida -
электронно-перепрограммируемое ПЗУ);

Download 332.83 Kb.
1   2   3   4   5   6   7   8




Download 332.83 Kb.
Pdf ko'rish

Bosh sahifa
Aloqalar

    Bosh sahifa



 Xotira modullarining quyidagi xillari mavjud

Download 332.83 Kb.
Pdf ko'rish