63
Ф
1
2
3
4
а) б)
2.25-rasm
. Fotoelement va uning tavsifnomasi.
Element (2.25,a-rasm) yupqa oltin qatlami 1, berkituvchi qatlam 2, selenli
qatlam 3 va po’lat taglik 4 dan iborat. Selenning oltin bilan
chegarasida berkituvchi
qatlam hosil bo’ladi; bu qatlam detektorlik xususiyatiga ega bo’lib, yorug’lik oqimi
bilan urib chiqarilgan elektronlarning orqaga qaytishiga imkon bermaydi.
Yorug’lik oqimi oltin qatlamidan o’tib, ventilli fotoeffekt hosil qiladi,
shunda
elektronlar yoritilgan qatlamdan yoritilmagan (izolyatsion berkituvchi qatlam bilan
ajratilgan) qatlamga o’tadi.
2.8.2.1. Fotorezistorlar
Fotorezistor – yarim o’tkazgich fotoelektrik asbob bo’lib,
bunda foto
o’tkazuvchanlik hodisasi qo’llaniladi, ya’ni optik nurlanish ta’sirida yarim
o’tkazgichni elektr o’tkazuvchanligi o’zgaradi. Fotorezistor tuzilishi quyidagi
rasmda ko’rsatilgan.
2.26. rasm. Fotorezistorning tuzilishi va ulanish sxemasi.
64
1-plyonka yoki plastik 2-dielektrik material.
Asosiy kattaliklari:
ф
I
S
ф
i
=
, (2.31)
Qorong’ulik qarshiligi – yoritilmagan fotorezistorlarning
qarshiligi qiymati
teng diapazonga ega R
k
=10
2
÷10
9
Om;
Ishchi kuchlanishi – ishchi kuchlanish qiymati fotorezistor o’lchamlariga
bog’liq, ya’ni elektronlar orasidagi masofaga bog’liq ravishda 1-1000 V gacha
tanlanadi.
Shuni ta’kidlash kerakki, fotorezistorlarning
kattaliklari, tashqi muhit ta’sirida
o’zgaradi. Fotorezistorlar afzalligi: yuqori sezgirligi, nurlanishning infraqizil
qismida qo’llash
mumkinligi, o’lchamlari kichikligi va doimiy tok va
o’zgaruvchan tok zanjirlarida qo’llash mumkinligi.
