| Ikkita ketma-ket ulangan IIM elementlar zanjiri
11.3.-rasm. Ikkita ketma-ket ulangan IIM elementlar zanjiri sxemasi ko‘rinishi
Sxemadan foydalanib 2HAM-EMAS va 2YoKI-EMAS mantiqiy amallarini bajaruvchi MElarni tuzish mumkin.
IIM sxemalar tezkorligi injektsiya toki II ga kuchli bog‘liq bo‘lib, tok ortgan sari ortadi.
Bu vaqtda AQU ozgina ortadi va 4÷0,2 pDjni tashkil etadi.
Element qayta ulanishining o‘rtacha kechikish vaqti 10÷100 ns, ya’ni TTM elementnikiga nisbatan bir necha marta katta. Ammo quvvat iste’moli 1-2 tartibga kichik bo‘ladi.
Mantiqiy o‘tish kichikligi tufayli IIM elementining xalaqitbardoshligi ham kichik (20÷50 mV) bo‘ladi.
Shuning uchun bu sxemalar faqat KIS va O’KISlar tarkibida va kichik integratsiya darajasiga ega mustaqil ISlar sifatida qo‘llaniladi.
I2M MEning X kirishiga statik rejimda mantiqiy 1ga mos kuchlanish berilganda manba YeM dan energiya iste’mol qilishi, uning kamchiligi hisoblanadi.
Emitterlari bog‘langan mantiq
Reja:
Tok qayta ulagichi
EBM ME sxemasi
500 seriyaga mansub EBM element sxemasi
Emitterlari bog‘langan mantiq (EBM) elementni yaratilishiga raqamli qurilmalar tezkorligini oshirish muammosi sabab bo‘lgan. EBM elementda qayta ulanuvchi tranzistor yoki berk, yoki ochiq bo‘ladi va bazada qo‘shimcha noasosiy zaryad tashuvchilar to‘planayotganda BT to‘yinish rejimida ishlaydi. Tranzistorni bir holatdan ikkinchisiga o‘tishi uzoq kechadigan jarayon bo‘lganligi sababli, TTM element tezkorligi cheklangan. BTdagi kalit inertsiyaliligini kamaytirish maqsadida shunday sxemalar yaratish kerakki, unda qayta ulanuvchi tranzistor ochiq holatda aktiv rejimda ishlasin.
EBM shunday sxemotexnik yechimlardan biri hisoblanadi. BTning to‘yinmagan rejimi yuklama va parazit sig‘imlarni tez qayta zaryadlanishi uchun talab qilinadigan ishchi toklarni oshirish imkonini beradi. Qayta ulanuvchi element ulanish vaqti minimumga keladi. Bu vaqtda BTning berkilish vaqti ortmaydi. Shu sababli EBM elementlar yuqori tezkorlikka ega.
| 