9-ma’ruza: MDYa tranzistorida yasalgan mantiqiy elementlar
Reja:
n – MDYa tranzistorlarida bajarilgan invertor sxemasi
n – MDYa tranzistorlarida bajarilgan 2HAM-EMAS va
2YoKI-EMAS MElari
TTM va EBM elementlari yuqori tezkorlikni ta’minlaydilar, ammo iste’mol quvvati va o‘lchamlari katta bo‘lganligi sababli, faqat kichik va o‘rta integratsiya darajasiga ega bo‘lgan IMSlar yaratishdagina qo‘llaniladi.
1962 yilda planar texnologik jarayon asosida kremniy oksidili (SiO2) MDYa – tranzistor yaratildi, keyinchalik esa uning asosida guruh usulida ishlab chiqarish yo‘lga qo‘yildi.
Integral BTlardan farqli ravishda bir turdagi MDYa integral tranzistorlarda izolyatsiyalovchi cho‘ntaklar hosil qilish talab etilmaydi. Shuning uchun, bir xil murakkablikka ega bo‘lganda, MDYa – tranzistorli IMSlar BTlarga nisbatan kristalda kichik o‘lchamlarga ega va yasalish texnologiyasi sodda bo‘ladi.
MDYa – tranzistorli mantiq (MDYaTM) asosida yuklamasi MDYa – tranzistorlar asosida yaratilgan elektron kalit - invertorlar yotadi.
Sxemada passiv elementlarning ishlatilmasligi, IMSlar tayyorlash texnologiyasini soddalashtiradi.
Mantiqiy IMSlar tuzishda n– yoki r– kanali induktsiyalangan MDYa – tranzistorlardan foydalanish mumkin.
Ko‘proq n– kanalli tranzistorlar qo‘llaniladi, chunki elektronlarning harakatchanligi kovaklarnikiga nisbatan yuqori bo‘lganligi sababli mantiqiy IMSlarning yuqori tezkorligi ta’minlanadi.
Bundan tashqari, n– MDYaTM sxemalar kuchlanish nominali va mantiqiy 0 va 1 sathlari bo‘yicha TTM sxemalar bilan to‘liq muvofiqlikka ega.
13.1.-rasm. n– MDYa tranzistorlarida bajarilgan invertor sxemasi
Bu sxemalarda yuklama sifatida ishlatilayotgan VT0 tranzistorlar doim ochiq holatda bo‘ladi, chunki ularning zatvorlari kuchlanish manbaining musbat qutbiga tutashgan. Ular tok cheklagichlar (dinamik qarshiliklar) vazifasini bajaradi.
2HAM-EMAS sxemada pastki VT1 va VT2 tranzistorlar ketma – ket, 2YoKI-EMAS sxemada esa– parallel ulanadi.
13.2.-rasm. n– MDYa tranzistorlarida bajarilgan 2HAM-EMAS va 2YoKI-EMAS MElari
Invertor statik rejimi va o‘tish jarayonlari tahlil shuni ko‘rsatdiki, tezkorlik va iste’mol quvvati nuqtai nazaridan YeM = (2÷3)U0 kuchlanish qiymati optimal hisoblanadi.
Demak, U0 = 1,5 ÷ 3 V bo‘lganda YeM = 4,5 ÷ 9 V bo‘ladi.
MDYaTM elementlarda real U0ChIQ qiymati U0 = UQOL ≈ 0,2 ÷ 0,3 V dan katta emas, U1ChIQ qiymati esa U1ChIQ ≈ YeM.
Mos ravishda mantiqiy o‘tish
MDYaTM elementning yana bir afzalligi – xalaqitbardoshikning yuqoriligidadir. BTlardagi MElarda mantiqiy 0 ning xalaqitbardoshligi (1÷2)U*, ya’ni 0,7÷1,4 V bo‘lganda, MDYaTM da U0XAL ≈ 1,5 ÷ 3 V bo‘ladi.
Kremniy oksidili MDYa ISlarning asosiy kamchiligi –tezkorlikning kichikligidir.
Yana bir kamchiligi – katta iste’mol kuchlanishi bo‘lib, u MDYa ISlarni BT ISlar bilan muvofiqlashtirishni murakkablashtiradi.
MDYa ISlar asosan uncha katta bo‘lmagan tezkorlikka ega bo‘lgan va kichik tok istemol qiladigan mantiqiy sxemalar va KISlar yaratishda qo‘llaniladi.
MDYa ISlarda eng yuqori ntegratsiya darajasiga erishilgan bo‘lib, bir kristalda yuz minglab va undan ko‘p komponentlar joylashishi mumkin.
|
