Komplementar invertorlar
Reja:
KMDYa tranzistorlarida bajarilgan invertor sxemasi
KMDYa tranzistorlarida bajarilgan 2HAM-EMAS va 2YoKI-EMAS MElari
Komplementar MDYa-tranzistorli elektron kalitlarning statik rejimda quvvat iste’moli o‘nlarcha nanovattni tashkil etib, tezkorligi esa 10 MGts va undan yuqori chastotalarda ishlashga imkon beradi.
MDYa – tranzistorli RISlar ichida komplementar MDYa-tranzistorli MElar (KMDYaTM) yuqori xalaqitbardoshlikka ega bo‘lib, kuchlanish manbai qiymatining 10÷45% ni tashkil etadi.
Yana bir afzalligi – kuchlanish manbaidan samarali foydalanish hisoblanadi, chunki mantiqiy o‘tish deyarli kuchlanish manbai qiymatiga teng. Demak RISlar kuchlanish manbai qiymatining o‘zgarishiga sezgir emas.
KMDYa-tranzistorli MEda kirish va chiqish signallari qutblari va sathlari mos tushadi, bu esa o‘z navbatida MElarni o‘zaro bevosita ulash imkoniyatini beradi (sath siljitish qurilmasi talab etilmaydi).
14.1.-rasm. KMDYa tranzistorlarida bajarilgan invertor sxemasi
KMDYa-tranzistorlarda HAM-EMAS va YoKI-EMAS mantiqiy amallar oson tashkil etiladi.
HAM-EMAS mantiqiy amali kirish tranzistorlarini ketma – ket ulash yo‘li bilan, YoKI-EMAS mantiqiy amali esa – ularni parallel ulash yo‘li bilan amalga oshiriladi.
Bu vaqtda har bir kirish uchun kalit-invertorni hosil qiluvchi ikkita tranzistor talab qilinadi.
Yuklamadagi r – kanalli va qayta ulanuvchi n – kanalli tranzistorlarning bunday kombinatsiyasi KMDYa – tranzistorlarning asosiy xossasi – statik rejimda ixtiyoriy kirish signalida tok iste’mol qilmaslik shartini saqlab qoladi.
2HAM-EMAS sxemada yuklama vazifasini bajaruvchi tranzistorlar bir-biriga parallel ulanadi, 2YoKI-EMAS sxemada esa – ketma – ket.
Bunday printsip yordamida faqat ikki kirishli elementlar emas, balki kirishlar soni katta bo‘lgan sxemalar ham tuziladi.
14.2.-rasm. KMDYa tranzistorlarida bajarilgan 2HAM-EMAS va 2YoKI-EMAS MElari
Statik holatda KMDYa-tranzistorlarda bajarilgan elementlar quvvat iste’mol qilmaydilar, chunki tranzistorlarning bir guruhi berk bo‘lib, deyarli tok iste’mol qilmaydi. Bu vaqtda ulardan berk tranzistorlarning juda kichik toki oqib o‘tadi. Shu sababli RIS iste’mol qilayotgan quvvat minimal bo‘lib, asosan sig‘imlarni qayta zaryadlash uchun sarflanayotgan quvvat bilan aniqlanadi.
KMDYaTM elementlarning tezkorligi MDYaTM elementlar tezkorligiga nisbatan sezirlarli daraja yuqori. Bu holat, KMDYaTM elementlarida kanal kengligiga cheklanishlar qo‘yilmaganligidan kelib chiqadi. Chunki parazit sig‘imlar qayta zaryadlanadigan ochiq tranzistorlarda yetarli o‘tkazuvchanlikni ta’minlash maqsadida kanal kengligi ancha katta olinadi.
| 