|
Optronlar. Optoelektron IMSlar
|
| bet | 24/25 | | Sana | 17.05.2024 | | Hajmi | 70,71 Kb. | | #239465 |
Bog'liq Ma’ruza Elektronika va sxemalar fani, maqsadi va vazifalari Rej-fayllar.orgOptronlar. Optoelektron IMSlar.
Optoelektronika haqida tushuncha. Fotodiod. Nurlanuvchi diod
Reja:
Fotodiod
Nurlanuvchi diod
Optoelektronika
Optronlar
Bitta r-n o‘tishga ega bo‘lgan fotoelektr asbob fotodiod deb ataladi.
Fotodiod sxemaga tashqi elektr manba bilan (fotodiod rejimi) va tashqi elektr manbasiz (fotovoltaik rejim) ulanishi mumkin. Tashqi elektr manba shunday ulanadiki, bunda r-n o‘tish teskari yo‘nalishda siljigan bo‘lsin.
Fotodiodga yorug‘lik tushmaganda dioddan berilgan kuchlanishga bog‘liq bo‘lmagan I0 ekstraktsiya toki deb ataluvchi, juda kichik qiymatga ega “qorong‘ulik” toki oqib o‘tadi.
Diodning n – baza sohasi taqiqlangan zona kengligidan katta energiyaga ega bo‘lgan fotonlar bilan yoritilganda elektron – kovak juftliklar generatsiyalanadi.
Agar hosil bo‘lgan juftliklar bilan r-n o‘tish orasidagi masofa zaryad tashuvchilarning diffuziya uzunligidan kichik bo‘lsa, generatsiyalangan kovaklar r-n o‘tish maydoni yordamida ektraktsiyalanadi va teskari tok qiymati uning “qorong‘ulik”dagi qiymatiga nisbatan ortadi.
Yorug‘lik oqimi F intensivligi ortishi bilan diodning IF teskari toki qiymati ortib boradi. Yorug‘lik oqimining turli qiymatlari uchun fotodiod VAXi keyingi slaydda keltirilgan.
Yoritilganlikning keng chegarasida fototok bilan yorug‘lik oqimi orasidagi bog‘lanish amalda chiziqli bo‘ladi.
15.1.-rasm. Yorug‘lik oqimining turli qiymatlarida fotodiod VAXi
Nurlanuvchi diodlar – bitta r-n o‘tishga ega bo‘lgan, elektr energiyani nokogerent yorug‘lik nuriga o‘zgartuvchi yarimo‘tkazgich nurlanuvchi elektron asbobdir.
Nurlanuvchi diodlarda elektron – kovak juftliklarining rekombinatsiyalashuvi natijasida yorug‘lik nuri paydo bo‘ladi.
Agar r-n o‘tish to‘g‘ri yo‘nalishda siljitilgan bo‘lsa rekombinatsiya sodir bo‘ladi. Nurlanuvchi rekombinatsiya to‘g‘ri zonali deb ataluvchi yarimo‘tkazgichlarda hosil bo‘ladi. Bunday yarimo‘tkazgich sifatida arsenid galliyni keltirish mumkin.
Nurlanayotgan yorug‘likning to‘lqin uzunligi energiyasi taxminan yarimo‘tkazgich ta’qiqlangan zonasi kengligiga mos keluvchi kvant energiyasi bilan aniqlanadi. Arsenid galliy asosida tayyorlangan nurlanuvchi diodlarning to‘lqin uzunligi= 0,9-1,4 mkm ni tashkil etadi. Ko‘rinuvchi nurlar diapazonidagi nurlanuvchi diodlar fosfid galliy, karbid kremniy va boshqalar asosida tayyorlanadi. Zamonaviy nurlanuvchi diodlarda galliyning azot va alyuminiy bilan birikmalaridan foydalaniladi.
Nurlanuvchi diodlarning energetik xarakteristikasi sifatida kvant chiqishi (samaradorlik) dan foydalaniladi. Kvant chiqishi boshqaruv zanjiridan o‘tayotgan har bir elektronga nurlanuvchi diod chiqishida nechta nurlanish kvanti to‘g‘ri kelishini ko‘rsatadi. Gomoo‘tishli nurlanuvchi diodlar uchun odatda kvant chiqishi 0,01-0,04 ni tashkil etadi. Geteroo‘tishli nurlanuvchi diodlar hosil qilish uchun binar va uch komponentali yarimo‘tkazgich birikmalardan foydalaniladi, ular uchun kvant chiqishi ancha yuqori qiymatni (0,3 gacha) tashkil etadi, lekin hamma vaqt birdan kichik bo‘ladi. VAXlari, oddiy diodlarnikidek, eksponentsial bog‘lanish bilan ifodalanadi.
Nurlanuvchi diodlar optik aloqa liniyalarida, indikatsiya qurilmalarida, optoelektron juftliklarda va yaqin kelajakda elektr yoritgich asboblarni almashtirishda qo‘llaniladi.
Fotodiod va nurlanuvchi diod optoelektronikaning asosiy yarimo‘tkazgich asboblaridir.
|
| |
