|
Ma’ruza. Yarimo‘tkazgichlarning elektrofizik xossalari. Yarimo‘tkazgichlarda kontakt xodisalari. Reja
|
| bet | 19/56 | | Sana | 02.06.2024 | | Hajmi | 1,75 Mb. | | #259295 |
Bog'liq Ma’ruza. Yarimo‘tkazgichlarning elektrofizik xossalari. Yarimo‘t13.2 BT sxemada belgilanishi va ulanish sxemalari. BTning volt-amper xarakteristikasi. BTlarning aktiv rejimda ishlashi.
Ebers-Moll tenglamalari BT statik rejimlarini tahlil qilish va statik xarakteristikalarni topish uchun qo‘llaniladi. Chunki bu tenglamalar tranzistor p-n o‘tishlaridagi har qanday kuchlanishlarda uning asosiy xususiyatlarini to‘liq aks ettiradi. Ammo shuni ham aytib o‘tish kerakki, modelda I0E va I0K toklar p-n o‘tishlarning o‘zida zaryad tashuvchilarning generatsiyalanish va rekombinatsiyalanishini hamda Erli effektini e’tiborga olmaydi. Shu sababdan UB, UE va UK ulangan sxemalarda BTning real xarakteristikalarini ko‘rib chiqamiz.
BT statik kirish xarakteristikalari.
Kirish xarakteristikasi deb chiqish kuchlanishining berilgan va o‘zgarmas qiymatlarida, kirish tokining kirish kuchlanishiga bog‘liqligini ko‘rsatuvchi grafikka aytiladi.
UB sxema. UB ulangan sxemada kirish toki bo‘lib emitter toki IE, kirish kuchlanishi bo‘lib emitter-baza kuchlanishi UEB, chiqish kuchlanishi bo‘lib esa, kollektor-baza kuchlanishi UKB xizmat qiladi. Shuning uchun UB ulangan sxemaning kirish xarakteristikalari KO‘dagi kuchlanish UKB ning belgilangan qiymatlarida IE=f (UEB) bog‘lanish orqali ifodalanadi.
BTda emitter va kollektor o‘tishlarning o‘zaro ta’siri o‘tish-larga quyilgan kuchlanish qutblariga bog‘liq. Masalan, aktiv rejimda KO‘ toki baza-emitter kuchlanishi bilan aniqlanadigan EO‘ tokiga bog‘liq. KO‘ kuchlanishining EO‘ tokiga ta’siri nisbatan sustroq bo‘ladi. To‘yinish rejimida ikkala o‘tish bazaga zaryad tashuvchilarni injeksiyalaydi va KO‘ning EO‘ tokiga ta’siri kuchli bo‘ladi.
Agar emitter toki IE da kovaklar toki elektronlar tokiga nisbatan foizning ulushlarini tashkil etishi e’tiborga olinsa, simmetrik tuzilmali UB ulangan BTning kirish xarakteristikalar oilasini quyidagi tenglama bilan ifodalash mumkin:
. (1)
UKB=0 bo‘lganda xarakteristika tenglamasi
, 2)
ko‘rinishga ega bo‘lib diod VAXiga o‘xshaydi. Shunga qaramasdan, diodda I0 1/L ga, tranzistorda esa I0 1/LB ekanligini e’tiborga olish lozim. Aktiv rejimda ni e’tiborga olmasa ham bo‘ladi, unda
. (3)
Ko‘rinib turibdiki, UB ulangan sxemada kirish xarakteristikasi ordinatalar o‘qida I0 kesma kesuvchi eksponenta orqali ifodalanadi. KO‘ga berilgan teskari kuchlanish qiymati ortgan sari Erli effekti hisobiga baza kengligi kamayadi, I0 esa, ortadi, chunki I0 baza kengligi LB ga teskari proporsional bog‘langan. Shu sababli, UKB ortishi bilan kirish xarakteristikalari chapga va yuqoriga siljiydi (5-a rasm).
|
| |
