|
Optik aloqa asoslari
|
| bet | 38/160 | | Sana | 13.01.2024 | | Hajmi | 1 Mb. | | #136728 |
Bog'liq Optik aloqa asoslari (N.Yusupov, R.Isayev)Yonig‘lik diodlari
Yorug‘lik diodi, lining tuzilishi va ish mexanizmi
Yorug‘lik diodi nomonoxromatik va nokogerent nurlanish manbayi bo‘lib, uni tayyorlashda GaAs, GaAlAs, InGaAsP, GaP, SiC kabi to‘g‘ri zonali yarimo'tkazgich materiallardan foydalaniladi.
a rasmda GaAs asosidagi yorug'lik diodining odatiy tuzilishi ko'rsatilgan. U n turdagi GaAs qatlami sirtiga rux atomlarini diffuziya qilib, p — GaAs qatlamini shakllantirish va shu tariqa p-n o'tishli tuzilma hosil qilish yo‘li bilan tayyorlanadi. So‘ngra p — GaAs va n — GaAs qatlamlarining tashqi sirtlari mos ravishda aluminiyli va AuGe aralashmali pardasimon metallashtirilgan qatlamlar bilan qoplanadi va ularga oltin simli chiqqichlar o‘rnatiladi. Asbob asosini tashkil etgan kristallning yuza sirti o‘lchamlari 0,3 — 0,5 mm li kvadrat ko‘rinishiga ega bo‘ladi.
Tolali optik aloqa tizimlarida nurlanuvchi sirt yuzasi nisbatan kichik o‘lchamli (<7=50 mkm) yorug‘lik diodlaridan foydalaniladi (3.1-b rasm). Buning uchun yorug‘lik diodi emitter sohasi (p — GaAs sohasi)ning chetki qismlari protonlar bilan bombardimon qilinadi. Natijada bu qismlar nurlanish sohasini cheklovchi amorf tuzilishli dielektrik qatlamga aylanadi.
Injeksion yorug‘lik diodi (uni bundan keyin qisqacha qilib, yorug‘lik diodi deb ataymiz) p-n tuzilishli optoelektron asbob bo‘lib, uning ish mexanizmi to‘g‘ri ulangan p-n o‘tish orqali n sohadan p sohaga injeksiyalanayotgan elektronlar va p sohadan n sohaga
83
www.ziyouz.com kutubxonasi
Oltin sim
p-jIsA1As
n-GaAlAs
n-GaAs
3.1-rasm. Yorug‘lik diodining tuzilishi
injeksiyalanayotgan kovaklarning o‘zaro rekombinatsiyasi jarayo- nidan foydalanishga asoslangan (3.2-rasm).
Bu jarayon natijasida elektronlar yuqori energiyali qo‘zg‘algan holatdan (o'tkazuvchanlik energetik sohasidan) quyi energiyali qo‘zg‘almagan holatga (valent elektronlarining energetik sohasiga) o‘tib, p-n o‘tish va unga yaqin hajmiy fazoda energiyasi quyidagi munosabat bilan aniqlanadigan fotonlar — yoruglik nurlanishi hosil bo‘ladi:
hv^A W ,
mes’
(3.1)
bunda
h — Plank doimiysi; v — yorugdik chastotasi;
^mes — yarimo‘tkazgich material! man etilgan energetik sohasining kengligi.
|
| |
