|
Optik aloqa asoslari
|
| bet | 41/160 | | Sana | 13.01.2024 | | Hajmi | 1 Mb. | | #136728 |
Bog'liq Optik aloqa asoslari (N.Yusupov, R.Isayev)hv = W2 - W\, (3.6)
bunda Ik, va — mos ravishda yuqori va quyi energetik sathlarning energiyasi.
Turli xil yarimo‘tkazgich materiallarda man etilgan energetik sohaning kengligi turlicha bo‘lgani uchun ulardan tayyorlangan yoruglik diodlari har xil to‘lqin uzunliklarida nurlanadi. CaAs yarimo‘tkazgich materiali asosida turli xil kiritmalar kiritish yo‘li bilan tayyorlangan yorug‘lik diodlarining odatiy xarakteristikalari 3.5-rasmda keltirilgan.
Noasosiy zaryad tashuvchilarning rekombinatsiyasi chog‘ida elektronlarning kvant o‘tishi ikki energetik sath orasida emas, bir- biriga juda yaqin joylashgan energetik sathlar guruhi orasida yuz bergani uchun nurlanish spektri birmuncha yoyilgan boTadi.
Spektral xarakteristikada nurlanish quwati eng katta qiymatga erishadigan holatga mos kelgan to‘Iqin uzunligi quyidagi munosabat bilan aniqlanadi:
Xmax = he/(3.7)
bunda c — yorug‘likning vakumlagi tezligi. Agarda bu ifodada A W^me.s. ni eV larda, to‘lqin uzunligi X ni mkm larda o‘lchasak, u quyidagi ko'rinishni oladi:
X =1,23/АҒГ . (3.71)
Yorug‘lik diodlarining spektral diapazoni nurlanish quwatining eng katta qiymati yarmiga to‘g‘ri kelgan spektral kenglik bilan aniqlanadi (3.5-rasm).
90
www.ziyouz.com kutubxonasi
P nurl
3.5-rasm. InGaAsP va Ga As asosidagi yorugiik diodlarining
spektral xarakteristikalari
Agar yorag‘lik diodining nurlanishi asosan p-n o‘tishni tashkil etgan yarimo‘tkazgichlarning o'tkazuvchanlik va valent energetik sohalaridagi 3 kT kenglikdagi energetik sathlarga tegishli zaryad tashuvchilarning injeksiyasi va rekombinatsiyasi tufayli sodir bo‘ladi deb farz qilsak, bu kenglikni quyidagi munosabat orqali ifodalash mumkin:
= ——A , (3.8)
he
bunda к — Boltsman doimiysi, T — absoiut harorat.
3.6-rasmda yorug‘lik diodi nurlanishi spektral diapazonining kengligi va to'lqin uzunligi orasidagi bog‘lanish keltirilgan. Unda uzluksiz chiziq orqali bu bog‘lanishning yuqorida keltirilgan miqdoriy munosabat bo'yicha hisoblangan qiymatlari ko‘rsatilgan. Chizmadan ko‘rinadiki, hisoblash va tajriba natijalari 0,85—1,6 mkm to‘lqin uzunliklarida, asosan, o‘zaro mos keladh
Chunonchi, InGaAsP yorug‘lik diodlari uchun bu kenglik 1.3 mkm li to‘lqin uzunligida AA.= 100 — 110 nm ni, AlGaAs diordlari
91
www.ziyouz.com kutubxonasi
uchun esa, 0,85 mkm li to‘lqin uzunligida ДА,—30 — 45 nm ni tashkil etadi.
Shuni ta’kidlash joizki, yorag‘lik diodlari spektral xarakteristika- larining ko‘rinishi, nafaqat ularning asosini tashkil etgan yari- mo‘tkazgichlarning turiga, shuningdek, ularga kiritilgan kiritma- larning xiliga ham bog‘liq. Masalan, InGaP, GaAsP, GaAlAs kabi uchlamchi birikmalardagi kimyoviy elementlarning foiz ulushiga qarab, nurlanish to'lqin uzunligini keng oraliqda o‘zgartirishga erishish mumkin.
I
|
| |
