|
Yorug‘Iik diodining xarakteristika va
parametrlariga tashqi omillaming ta’siri
|
| bet | 44/160 | | Sana | 13.01.2024 | | Hajmi | 1 Mb. | | #136728 |
Bog'liq Optik aloqa asoslari (N.Yusupov, R.Isayev)Yorug‘Iik diodining xarakteristika va
parametrlariga tashqi omillaming ta’siri
Bu xarakteristika va parametrlarning ta’riflari yuqorida — ushbu paragrafning tegishli bandlarida ko‘rib chiqilgan. Mazkur xarakte- ristikalarning ko‘rinishi va parametrlarning kattaligiga tashqi va ichki omillarning ta’siri bo‘yicha GaAs, GaAlAs, GaAsP yorug'lik diodlari uchun quyidagi umumiy qonuniyatlar kuzatiladi:
haroratning ortishi yarimo‘tkazgich materiali man etilgan energetik sohasining kengligi va demak, nurlanish quwati ning eng katta qiymatiga to‘g‘ri kelgan to‘lqin uzunligi ning birmuncha ortishiga olib keladi;
spektral xarakteristikalarning 30—100 nm ni tashkil etgan yarimkengligi haroratning ortishi bilan quyidagi chiziqli qonun bo'yicha ortadi: ДХ/Т ~ 0,3 nm/grad;
haroratning ortishi nurlanish quwatining ham kamayishiga olib keladi. Yorug‘lik diodining nurlanish quwati va harorat orasidagi bog‘lanish quyidagi eksponensial qonunga bo‘ysinadi:
Лига (7) = ЛиггСТ’о) e*p [ ~k ТЛ (3.11)
bunda Pnuri.(T) va Pnuri.(0) - nurlaninsh quwatining mos ravishda T va To haroratlardagi qiymatlari.
Chunonchi, haroratning — 60° dan +70° gacha ortishi nurlanish quwatining chiziqli ravishda 2—3 marta kamayishiga olib keladi;
agar kristallning qizishi ro‘y bermasa, Pnuri ning to‘g‘ri tokning zichligi j ga bog‘liqligi j = 102 ->103 largacha to‘g‘ri chiziqli ko‘rinishga ega bo‘ladi;
haroratning o‘zgarishi almashlab ulash vaqtlarining qiymatlariga deyarli ta’sir etmaydi;
97
www.ziyouz.com kutubxonasi
|
| |
