115
1.4.2. Statik va dinamik xotira qurilmalari
Dinamik operativ xotira (DRAM) hozirda ko`p
sistremalar tomonidan
ishlatiladi. Uning asosiy ustunligi shundan iboratki, ushbu turdagi xotiralarda
xotira kataklari ancha zich joylashgandir. Bu narsa katta hajmdagi xotirani kichik
mikrosxemaga o`rnatishga imkon beradi.
DRAM xotira kataklari kondensatorlardan iborat bo`lib,
zaryadlangan
kondensatorlar 1 ga, zaryadlanmaganlari 0 ga mos keladi. Biroq bu turda ma`lumot
saqlashning bir kamchiligi bor. Gap shunadaki, kondensatorlar tez o`z zaryadini
yo`qotadi va shu tufayli ulardagi ma`lumot yo`qolmasligi
uchun ularni tez-tez
qayta zaryadlab turish lozim. Bu holat regeneratsiya deyiladi. Aynan DRAM
xotiralarida regeneratsiya zarurligi tufayli ularda doimiy ma`lumot saqlash
mumkin emas va kompyuter o`chirilganda u yerdagi bacha ma`lumot o`chib
ketadi.
1995-yildan
boshlab
Pentium
asosidagi
kompyuterlarda
operativ
xotiralarning yangi-EDO (Extended Data Out) deb ataluvchi turi ishlatilmoqda. Bu
FPM xotiralarning mukammalashgan turi bo`lib, uni ba`zida
Hyper Page Mode
deb ham atashadi. EDO turidagi xotiralar Micron Technology firmasi tomonidan
ishlab chiqilgan va patentlashtirilgandir. FPM turidagi xotiralardan farqli ravishda,
EDO turidagi xotiralarda xotira kontrolleri adres ustunini o`chirayotganida
mikrosxemadagi ma`lumotlarni chiqarish drayverlari o`chmaydi. Bu esa oldingi va
keyingi sikllarni ulashni ta`minlaydi va har bir siklda taxminan 10 ns vaqtni
tejashga yordam beradi. Shunday qilib EDO turidagi xotiralarda
kontroller adres
ustunini topgunicha ma`lumotlar joriy adresdan o`qilaveradi. Bu xuddi
navbatlashni qo`llash uchun bankdan foydalangandek gapdir,
biroq bunda ikkita
bank talab qilinmaydi.
Yuqorida tushuntirilgan x-y-y-y sxema bo`yicha tushuntiradigan bo`lsak,
EDO xotiralari 5-2-2-2 sxema bo`yicha, FPM xotiralar esa 5-3-3-3 sxema bo`yicha
ishlaydi, ya`ni EDO xotiralarida sikllar soni 11 ta FPM da 14 tadir. Maxsus testlar
