1.3. Quyosh elementlarini tayyorlash texnologiyalari. Yuqori samarali Quyosh elementlari tayyorlash, yarimo„tkazgichli
materiallarning xususiyatlariga bog„liqdir. Haqiqatdan, Quyosh elementi ideal
effektivligi (harorat T=300 K uchun) man qilingan soha kengligining o„zgarishiga
nisbatan olinganda yer sharoiti uchun maksimal F.I.K man qilingan soha kengligi
E
g
≈ 1,4 eV ga teng bo„lgan yarimo„tkazgichga to„g„ri keladi. Bu tenglikni taqriban
qanoatlantiradigan materiallar jumlasiga Si, InP, GaAs, CdTe, AlSb, hamda Α
3
B
5
,
Α
2
B
6
yarimo„tkazgichlar asosidagi qattiq qotishmalar kiradi.
Quyosh elementi materiali o„ta yuqori darajada toza bo„lishi zarur, ya‟ni
99,99 % gacha. Yarimo„tkazgichli materiallarni o„stirish usulini tanlash ularning
fizik va kimyoviy xususiyatlarini o„rganishga bog„liqdir. Agar moddaning erish
harorati yuqori, kimyoviy aktiv va bug„ bosimi katta bo„lsa, bunday moddalar
kristallini o„stirish juda qiyin. Yarimo„tkagich materiallarni o„stirishning bir necha
usullari mavjud bo„lib, ulardan asosiylari jumlasiga quyidagilar kiradi:
Toza moddalardan va legirlangan kirishmali o„ta to„yingan eritmalardan
o„stirish;
Eritmalardan o„stirish;
Bug„ fazasidan o„stirish.
Stexiometrik tarkibdagi suyuq fazadan kristallarni o„stirish usullari 2 ga
bo„linadi. Tigyel yordamida o„stirish usullari va tigyelsiz usullar. Bu usul bir necha
ko„rinishga bo„linadi. Jumladan, yo„naltirilgan kristallizatsiya usuli, «gorizontal»
va «vertikal» Bridjmen usuli, sohali eritish usuli va Choxralskiy usuli. [3]
Bu usullarning asosini issiqlikni yo„naltirilgan holda uzatish tashkil qiladi.
Bunga misol tariqasida 1.3.1 – rasmda Choxralskiy usuli keltirilgan.
Sohali o‘stirish (1.3.2 – rasmga qarang). Bu usulning Bridjmen usulidan
farqi shundaki, bu usulda ikkita pech ishlatiladi, biri harorati T
er
, ikkinchisi
harakatchan konstruksiyali qisqa zonali harorati T>T
