• MT asosiy parametrlari.
  • Elektronika.
    		•

    GLASSARY Maydoniy transistor




    Download 462,03 Kb.
    bet5/6
    Sana07.01.2024
    Hajmi462,03 Kb.
    #131375
    1   2   3   4   5   6
    Bog'liq
    Parmanova jumagulning

    GLASSARY


    Maydoniy transistor. Maydoniy tranzistor (MT)
    p–n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor p–n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorning tuzilishining qirqimi
    istok (I); Kanalga zaryad tashuvchilar kiritiladigan
    stok (S) kontakt zaryad tashuvchilar chiqib ketadigan kontakt.
    Zatvor (Z) boshqaruvchi elektrod hisoblanadi.
    MT asosiy parametrlari. Maydoniy tranzistorlarning asosiy parametrlaridan biri bo’lib xarakteristika tikligi hisoblanadi.
    Swot tahlili
    Men Yakubjonov Nuriddin Elektronika fanidan maruza darsida diodlarning to’g’ri ulanishi teskari ulanishi, tranzistorlar, maydon tranzistorlari haqida malumotga ega bo’ldik tajribalar qilib ko’rdik darsda olgan bilimlarimizni ancha mustahkamladik


    Foydalanilgan adabiyotlar




      1. X.K. Aripov, A.M. Abdullaev, N.B. Alimova. Elektronika. O’quv qo’llanma– Toshkent: TATU, 2008, 137 b.

      2. Ugryumov Ye.P. «Tsifrovaya sxemotexnika». Sankt-Peterburg «BXV - Peterburg» 2007g.

      3. Bezugmov D.А., Kalenko I.V. «Tsifroviye ustroyistva i mikroprotsessoriy». Rostov na Donu 2006 g.

      4. Babich N.P., Jukov I.А., «Osnoviy tsifrovoy sxemotexniki» Moskva, DMK, Press- 2007 g.

      5. Yu.F. Opadchiy, O.P. Gludkin, A.I. Gurov. Analogovaya i sifrovaya elektronika. – M.: Goryachaya liniya – Telekom, 2003.

      6. Stepanenko I.P. Osnovi mikroelektroniki: Uchebnoe posobie dlya vuzov. – 2-e izd., pererab. i dop.- M.: Laboratoriya Bazovix Znaniy, 2001.

      7. Yu.L. Bobrovskiy, S.A. Kornilov, I.A. Kratirov i dr.; Pod red. prof. N.F. Fedorova. Elektronnie, kvantovie pribori i mikroelektronika: Uchebnoe posobie dlya vuzov.- M.: Radio i svyaz, 2002.

      8. Dikman L.A., Bogatirev V.A., SHegolev S.Yu., Xlebstov N.G. Zolotie nanochastisti: Sintez, svoystva i biomedistinskie primeneniya. M.: Nauka, 2008. – 318 s.

      9. Evdokimov Yu.M., Sichov V.V.//Uspexi ximii 2008, 2, 194-206.

      10. Krutyakov Yu.A., Kudrinskiy A.V., Olenin A.Yu., Lisichkin G.V. // Uspexi ximii

    2008, 77(3), 242-265.

      1. Gubin S.P., Yurkov G.Yu., Kataeva N.A. Nanochastisti blagorodnix metallov i materiali na ix osnove. M.: OOO «Azbuka-2000», 2006, 156 s.

      2. Xlebstov N.G., Bogatirev V.A., Dikman L.A., SHegolev S.Yu. // Rossiyskie nanotexnologii 2007 2, № 3-4, 69-86.

      3. Murphy C. J., Sau T. K., Gole A. M., Orendorff C. J., Gao J., Gou L., Hunyadi S. E., Li T. // J. Phys. Chem. B 2005, 109, 13857-13870.

      4. Quan-Yu Cai, Sun Hee Kim, Kyu Sil Choi, Soo Yeon Kim, Seung Jae Byun, Kyoung Woo Kim, Seong Hoon Park, Seon Kwan Juhng, Kwon-Ha Yoon // Invest. Radiol.2007, 42, 797–806.

      5. Grieshaber D., MacKenzie R., Voros J., Reimhult E. // Sensors 2008, 8, 1400- 1458.

      6. Daniel Huang, Frank Liao, Steven Molesa, David Redinger, Vivek Subramanianb

    // Journal of The Electrochemical Society, 150 (7) G412-G417 (2003).

      1. Pong B.K., Elim H. I., Jian-Xiong Chong, Wei Ji, Bernhardt L. Trout, Jim-Yang Lee

    // J. Phys. Chem. C, 2007, 111 (17), 6281 -628.

      1. Whetten R. L., Khoury J. T, Alvarez M. M., Srihari Mu&y, Vezmar I., Wang Z. L., Stephens P. W., Cleveland C. L., Luedtke W. D., LandmanU. // Adv. Mater. 1996, 8, 5, 428-433.

      2. McFarland A.D., Haynes C.L., Mirkin C. A., Van Duyne R.P., Godwin H. A. //J. Chem. Ed. 2004, 544A, 81, 4, www.JCE.DivCHED.org.

      3. Liz-Marzan L. M. // materialstoday 2004, February, 26-31.

      4. Rayford II C. E., Schatz G., Shuford K. //Nanoscape
        Download 462,03 Kb.
    1   2   3   4   5   6




    Download 462,03 Kb.