2. Raqamli integral mikrosxemalar.
Integral mikrosxema (IMS) – bu oʻzaro bogʻlangan bir necha tranzistorlar,
diodlar, kondensatorlar va rezistorlar yigʻindisi hisoblanib, u bir paytda yagona
texnologik siklda tayyorlanadi. Elektr signallarini qabul qilish, yuborish, qayta
ishlash va saqlash kabi funksiyalarni bajaradi. IMS tarkibiga kirgan
komponentlarni ajratib olish va mustaqil ishlatilishning iloji yo’q va ular integral
elementlar deb ataladi. IMS larga konstruktiv moslashtirilgan detal va qurilmalar
diskret komponentlar va ular asosida tuzilgan bloklar diskret sxemalar deb ataladi.
Funksional vazifasiga ko’ra IMSlar raqamli va analog turlarga bo’linadi.
Raqamli integral sxema diskret funktsiya qonuniga muvofiq o'zgaruvchan
24
signallarni aylantirish va qayta ishlash uchun mo'ljallangan elektron qurilma
hisoblanib, ikkita barqaror ochiq va yopiq holatda bo'lishi mumkin bo'lgan
tranzistorli kalitlar ishiga asoslangan. Ulardan foydalanish turli xil mantiqiy,
trigger va boshqa integral mikrosxemalarni yaratishga imkon beradi. Raqamli
integral mikrosxemalar elektron hisoblash mashinalari (kompyuterlar),
avtomatlashtirish tizimlari va boshqalarning diskret axborotni qayta ishlash
qurilmalarida qo'llaniladi.
IMS larda integratsiya darajasi quyidagi formula bilan aniqlanadi:
K=lgN,
(1)
bu yerda N - elementlar soni
Kristallda joylashgan elementlar soniga qarab IMSlar:
-
Kichik – 100 (N<100);
-
O’rta – 1000 (N<1000);
-
Katta – 10000 (N<10000);
-
O’ta katta – 10000 dan yuqori (N>10000)
IMS larni ishlab chiqarishdagi asosiy faktorlar quyidagilardan iborat:
-
Mikroklimat shartlari, ya’ni zarralar o’lchami va zichligi mos holda 0,2
mkm 2370/m
3
va 1 mkm 83/m
3
bo’lishi kerak;
-
Zamonaviy texnologik qurilmalar va jihozlarning mavjudligi;
-
Tajribali mutaxassislar va ularga qo’yilgan talablar (bilim, tajriba,
maxsus kiyim, hulq-atvor)
-
Korpusli va korpussiz ishlab chiqarish imkoniyati mavjudligi;
-
Yuqori sifat, ihchamlik, engillik, past tannarx siyosati;
-
IMS kristtallarini oʻlchamlarini (dastlab 1,5x1,5 dan 6x6 mm gacha
bo’lgan) davriy kichraytirib borilishi (Mur qonuni);
-
Kristall maydoni qancha katta boʻlsa unga shuncha koʻp elementli
integral mikrosxemani joylashtirish imkoniyati;
-
Integral mikrosxemalarida tranzistorlarni ma`lum ulanishlar asosida
25
rezistor va kondensator hosil qilish mumkinligi.
|
