Yarimo’tkazgichlar jaxon fani va texnikasida salmoqli o’rinni egallaydi. Ular asosida ishlab chiqarilayotgan asboblar va qurilmalar miqdori tez ko’payib, ularning turli soxalarga tatbiqi kengayib bormoqda

Download 4,76 Mb.
bet	43/43
Sana	16.01.2024
Hajmi	4,76 Mb.
	#139134

1 ... 35 36 37 38 39 40 41 42 43

Bog'liq
KIRISH

7.4-Rasm. IMS tuzilish sxemasi.
Dielektrik bilan izolatsiyalash usuli (EPIC — texnologiya). Bu texnologiya p —n o‘tish bilan izolatsiyalanib tayyorlangan IMSlarga nisbatan yaxshiroq xarakteristikalarga ega mikrosxemalar yaratish imkonini beradi. Xususan, izolatsiyalash darajasi taxminan 6 tartibga ortadi, teshilish kuchlanishi kattalashadi, parazit sig‘imlar taxminan 2 tartibga kamayadi, radiatsiyaga chidamlilik ortadi, IMS tezkorligi oshadi. Ushbu texnologiya asosida kichik quvvatli va yuqori tezlikda ishlaydigan raqamli IMSlar yaratish maqsadga muvofiq, chunki bunday texnologik jarayon narxi planar-epitaksial texnologiyaga nisbatan yuqori.
Sodda IMS yaratish ketma-ketligi 7.5-rasmda ko'rsatilgan. O‘tkazuvchanligi n — turli asosga surma yoki margumush 1 2 mkmga diffuziya qilish yo'li bilan plastinaning butun yuzasi bo'ylab — o‘tkazuvchanlikka ega yashirin qatlam hosil qilinadi. Asosni — qatlam tomondan termik oksidlab , uning butun yuzasida oksid qatlam hosil qilinadi. Birinchi fotolitografiya yordamida ushbu qatlamda izolatsiyalovchi sohalar uchun “darc ha” lar ochilad i (7.5, a -rasm ), oksid bilan himoyalangan sohalar yemirilgani uchun 8 5 mkm bo‘lgan “chuqurcha ” lar hosil qilinadi (7 .5 , b -rasm ). So‘ng “ ch u q u r c h a ” la r y u z a la ri oksidlanadi (7.5, d-rasm). Bundan keyin oksidlangan “ c h u q u rc h a ” lar to m o n d a n asos sirtiga 0 ,2 —0,25 m m qalinlikdagi p o lik ristall kremniy o ‘stiriladi. P olikristall k rem n iy k eyinchalik b o ‘lg‘usi IM S asosi b o ‘lib xizm at q ilad i (7.5, e -rasm ).

Download 4,76 Mb.

1 ... 35 36 37 38 39 40 41 42 43

Download 4,76 Mb.