|
-Rasm. Asos va uning sirtida bir vaqtida tayyorlanadigan IMS lar tizimi
|
| bet | 42/43 | | Sana | 16.01.2024 | | Hajmi | 4,76 Mb. | | #139134 |
Bog'liq KIRISH7.3-Rasm. Asos va uning sirtida bir vaqtida tayyorlanadigan IMS lar tizimi.
Bunday asosda elementlari soni mingtagacha yoki yuzlarcha bo‘lgan o‘rta va yuqori integratsiya darajali mikrosxemalar bir vaqtda hosil qilinadi (har bir kvadratda bir xil IMSlar joylashadi). Asos sirtida termik oksidlash yo‘li bilan qalinligi 0,5 1 mkm bo‘lgan qatlam hosil qilinadi. Shundan so‘ng birinchi fotolitografiya oksid qatlamda “darcha” lar ochish uchun o‘tkaziladi. Darchalar orqali 1 2 mkm qalinlikka donor kiritmalar (surma yoki margumush ) diffuziya qilinadi. Natijada bo‘lg‘usi tranzistorlar kollektorlari ostida elektr tokini yaxshi o ‘tkazuvchi n+ — soha hosil bo'ladi. Ushbu qatlam yashirin — qatlam (cho‘ntak) deb ataladi. U kollektor qarshiligini kam aytiradi, natijada tranzistor tezkorligi ortadi, kollektor esa ikki qatlamli — n bo‘lib qoladi.
Shundan keyin kremniy oksidi yemiriladi, asos sirtiga qalinligi 8 10 mkm ni tashkil etuvchi n — turli epitaksial qatlam o‘stiriladi va epitaksial qatlam sirtida oksid qatlam hosil qilinadi. Ikkinchi fotolitografiya yordamida oksid qatlamda ajratuvchi diffuziyani o'tkazish uchun “darcha”lar ochiladi. Akseptor kiritmalarni (bor) “darcha”lar orqali qatlam oxirigacha diffuziya qilib to‘rtta n - soha (sxemadagi elementlar soniga mos) hosil qilinadi. Bu n — sohalar bir-biridan p —n o ‘tishlar yordamida izolatsiyalangan bo'lad i. Ushbu sohalarning biri tranzistorning kollektori bo‘lib xizmat qiladi. Tranzistorning bazasi, kondensator, diod va rezistor hosil qilish uchun bir-biridan izolatsiyalangan n — sohalarga akseptor kiritmalar diffuziyasi amalga oshiriladi. Buning uchun avval hosil qilingan oksid qatlamda uchinchi fotolitografiya yordamida shunday o‘lchamli “darcha”lar hosil qilinadiki, bunda hosil qilingan elementlar parametrlari talab etilgan nominallarni qanoatlantirsin. Keyin tranzistor emitteri, diod katodi, kondensator qoplamasi, kollektor sohaning omik kontaktini hosil qiluvchi — turli emitter sohalar hosil qilinadi. Buning uchun yangidan hosil qilingan oksid qatlamida to ‘rtinchi fotolitografiya yordamida zarur ko‘rinishdagi “darcha”lar ochib, ular orqali — turli kiritma hosil qiluvchi atomlar diffuziyasi amalga oshiriladi. IMS tuzilmasi hosil qilinuvchi texnologik jarayon elementlarga omik kontaktlar olish va elementlarni o‘zaro ulash bilan yakunlanadi. Bu qatlamda beshinchi fotolitografiyani amalga oshirish, aluminiyni vakuumda purkash, aluminiyni ishlatilmaydigan sohalardan olib tashlash va termik ishlov berish bilan amalga oshiriladi. 7.2-rasmda keltirilgan sxemaga mos IMS tuzilmasi 7.4-rasmda ko'rsatilgan.
|
| |
