|
-rasm. ISning yuklama qobiliyatini oshirish uchun tashqi o‘tish
|
bet | 35/43 | Sana | 16.01.2024 | Hajmi | 4,76 Mb. | | #139134 |
Bog'liq KIRISH4.28-rasm. ISning yuklama qobiliyatini oshirish uchun tashqi o‘tish tranzistoridan foydalanish
4.28-rasmdagi sxema tranzistorni yuklamada qisqa tutashuvdan himoyalash zanjiriga ega emas. Katta quvvatli tranzistor uchun sxemaning qisqa tutashuv rejimi eng og‘ir ish rejimi hisoblanadi, bu holatda undan juda katta tok oqib o‘tadi, uning kollektor-emitter o‘tishidagi kuchlanishning pasayishi kirish kuchlanishi 𝑈kir qiymatiga tenglashadi. Shu sababli o‘tish tranzistorini qisqa tutashuvdan himoyalash
uchun yuklamada chiqish tokini cheklash sxemasidan foydalaniladi (4.29-rasm).
Agar chiqish tokining qiymati o‘rnatilgan chegaraviy qiymatdan oshmasa, 𝑅1 rezistorda kuchlanishning pasayishi kichik, VT1 tranzistori yopiq va sxema 4.28- rasmdagi stabilizator kabi faoliyat ko‘rsatadi. Yuklama toki o‘rnatilgan qiymatdan oshadigan bo‘lsa 𝑅1 rezistorda kuchlanishning pasayishi bilan VT1 tranzistor ochiladi, uning kollektor-emitter o‘tishi o‘tish tranzistorining emitter o‘tishini shuntlaydi, VT2 yopiladi va uning kollektor toki qiymati kamayadi.
4.29-rasm. O‘tish tranzistori sxemasida chiqish tokini cheklash
Misol ko‘rib chiqamiz. Faraz qilaylik, tok qiymati 5 A gacha bo‘lgan, chiqish kuchlanishi 5 V bo‘lgan stabilizator talab etilsin. Kirish kuchlanishi 15 V ga teng bo‘lsin. Qisqa tutashuv holatida chiqish quvvatining quyidagicha tarqalishini ta’minlaydigan VT2 o‘tish tranzistorini tanlaymiz:
𝑃tar.qt = 𝑈kir ∙ 𝐼chiq max = 15 𝑉 ∙ 5 𝐴 = 75 𝑊.
Bizga bir muncha qo‘shimcha zaxirani hisobga olganda ruxsat etilgan tarqalish (sochilish) quvvati 90÷100 Vt bo‘lgan tranzistor zarur bo‘ladi. Ushbu shartni p-n-p o‘tishga ega bo‘lgan, KT818A bipolyar tranzistori qanoatlantiradi
(𝑃tar.max = 100 Vt, 𝐼k = 5 A da ℎ21 = 15, 𝐼k = 5 A da 𝐼k max = 15 A, 𝑈be = 0,9V).VT2 tranzistorining baza toki 𝐼b2 ni kollektor tokining qiymati 𝐼k2 = 5 A bo‘lganda aniqlaymiz: 𝐼b2 = 𝐼k2/ℎ21e ≈ 0,33 A. ISning chiqish toki 𝐼chiq ni keragidan ortiqcha shunday tanlaymizki, bunda u 𝑈be kuchlanish va elementlar parametrlarining mumkin bo‘lgan chetlanishlaridan oshmasligi lozim. Aytaylik ushbu zaxira 20% ga teng deb olaylik, u holda 𝐼chiq = 1,2𝐼b2 , 𝑅2 rezistordan oqib o‘tayotgan tok 0,2𝐼b2 teng bo‘ladi. Shuning uchun 𝑅2 = 𝑈be2/(0,2𝐼b2) = 0,9 𝑉/ (0,2 ∙ 0,33 𝐴) = 13,5 Om.
VT1 tranzistori sifatida o‘rta quvvatli p-n-p o‘tishli KT816A turidagi bipolyar tranzistorni olish mumkin (𝐼k = 2 𝐴 > 𝐼b2, 𝑃tar.max = 20 𝑉𝑡 > 𝑈kir ∙ 𝐼b2 ≈ 15 ∙ 0,3 ≈ 4,5 Vt, 𝐼k ≈ 0,4 𝐴 bo‘lganda 𝑈be = 0,7 V). Natijada, 𝑅1 = 𝑈be /𝐼chiq bo's, bunda 𝐼chiq bo's = 5 A – ruxsat etilgan maksimal chiqish toki. 𝑅1 = 0,7/5 ≈ 0,14 Om. Shunday qilib, 4.27-rasmdagi sxema uchun talab etilgan ko‘rsatkichlarga ega bo‘lgan quyidagi elementlardan foydalanish mumkin:
𝑅1 ≈ 0,15 Om, 𝑅2 ≈≈15 Om, VT1-KT816A, VT2-KT818A.
|
| |