|
Integral stabilizatorni diodli himoyalash
|
| bet | 36/43 | | Sana | 16.01.2024 | | Hajmi | 4,76 Mb. | | #139134 |
Bog'liq KIRISHIntegral stabilizatorni diodli himoyalash. ISning chiqish zanjirida sig‘imi 5÷10 mkF dan kam bo‘lmagan kondensator bo‘lganda va qisqa tutashuvda stabilizatorning kirishida tokning katta kuch bilan qisqa muddatli sakrashi kuzatiladi. Bu holat OUT chiqishidan IN chiqishiga yo‘nalishidagi IS zanjiri orqali chiqish kondensatorining razryadlanishi sababli ro‘y beradi. Ushbu impuls tokining qiymati bir va o‘nlab amperdan oshishi mumkin va u IS buzilishiga (shikastlanishiga) olib keladi. Bunday holatda ISning ishdan chiqishini himoyalash maqsadida uni diod orqali shuntlanadi (4.30-rasm).
4.30-rasm. Integral stabilizatorni diodli himoyalash sxemasi
Kirishda qisqa tutashuv holati sodir bo‘lganda 𝐶2 chiqish kondensatori VD shuntlovchi diod orqali razryadlanadi.
V II B O B . IN T E G R A L M IK R O S X E M A L A R
7.1 . Umumiy ma’lumotlar
Integral mikrosxem a (IMS) ko‘p sonli tranzistor, diod, kondensator, rezistor va ularni bir-biriga ulovchi o‘tkazgichlarni yagona konstruksiyaga birlashtirishni (konstruktiv integratsiya); sxemada murakkab axborot o‘zgartirishlar bajarilishini (sxemotexnik integratsiya); yagona texnologik siklda , bir vaqtning o‘zida sxemaning
elektroradioelementlari (ERE ) hosil qilinishini, ulanishlar amalga oshirilishini va bir vaqtda guruh usuli bilan ko‘p sonli bir xil integral mikrosxemalar hosil qilish (texnologik integratsiya) ni aks ettiradi. IMS, yagona texnologik siklda, yagona asosda tayyorlangan va axborot o‘zgartirishda ma’lum funksiyani bajaruvchi o‘zaro elektr jihatdan ulangan ERE lar majmuasidir.
IMS elektron asboblar qatoriga kiradi. Uning elektron asbob sifatidagi asosiy xususiyati shundaki, u mustaqil ravishda, masalan, axborotni eslab qolishi yoki signalni kuchaytirishi mumkin. Diskret elementlar asosida shu funksiyalarni bajarish uchun tranzistorlar, rezistorlar va boshqa elementlardan iborat sxemani qo‘lda yig‘ish zarur. Elektron asbobning uskuna tarkibida ishlash ishonchliligi avvalambor kavsharlangan ulanishlar soni bilan aniqlanadi. IMSlarda elementlar bir-biri bilan metallash yo‘li bilan ulanadi, ya’ni kavsharlanmaydi ham, payvand ham qilinmaydi. Buning natijasida yig‘ish, montaj qilish ishlarining sifatini oshirish masalasi yechildi, katta miqdordagi ERElarga ega radioelektron qurilmalar ishlab chiqarishda ishonchlilik ta’minlandi. Hozirgi kunlarda tayyorlash usuli va bunda hosil bo‘ladigan tuzilmasiga ko‘ra IMS larni bir-biridan prinsipial farqlanuvchi uch turga ajratiladi: yarimo‘tkazgich, pardali va gibrid. IMSlarning har turi, mikrosxema tarkibiga kiruvchi elementlar va komponentlar sonini ifodalovchi, integratsiya darajasi va konstruksiyasi bilan farq qiladi.
Element deb, konstruksiyasi bo‘yicha kristali yoki asosdan ajralmaydigan, ERE funksiyasini bajaruvchi IMSning qismiga aytiladi. IMS komponenti deb, diskret element funksiyasini bajaruvchi, lekin montajdan avval mustaqil mahsulot bo‘lgan IMSning bo‘lagiga aytiladi. Yig‘ish, montaj qilish operatsiyalarini bajarishda komponentlar mikrosxema asosiga o‘rnatiladi. Qobiqsiz diod va tranzistorlar, kondensatorlarning maxsus turlari, kichik o‘lchamli induktivlik g‘altaklari va boshqalar sodda komponentlarga, murakkab komponentlarga esa — bir nechta elementdan tashkil topgan, masalan, diod yoki tranzistorlar yig'malari kiradi. Elementlari yarimo‘tkazgich asosning sirtiga yaqin qatlamda hosil qilingan mikrosxemalar yarimo‘tkazgich IMS deb ataladi. Elementlari dielektrik asos sirtida parda ko‘rinishida hosil qilingan mikrosxemalar pardali IMS deb ataladi. Pardalar turli materiallarni past bosimda yupqa qatlam sifatida o‘tkazish yo‘li bilan hosil qilinadi. Parda hosil qilish usuli va u bilan bog‘liq parda qalinligiga muvofiq IMSlarni yupqa pardali (qalinligi 1—2 mkm ) va qalin pardali (qalinligi 10 mkm dan yuqori) larga ajratiladi. Adabiyotlarda ko‘p hollarda IMS yozuv o‘rniga IS deb yoziladi.
Hozirgi kunda pardali diod va tranzistorlarning parametrlari barqaror bo‘lmagani sababli, pardali IMSlar faqat passiv elementlarga (rezistorlar, kondensatorlar va boshqalar) ega. Pardali texnologiyada element parametrlarining ruxsat etilgan tarqoqligi 1÷2 % dan oshmaydi. Passiv elementlar parametrlari va ularning barqarorligi hal qiluvchi ahamiyat kasb etganda bu juda muhim bo‘ladi. Shu sababdan pardali IS lar ba’zi filtrlar, faza o‘zgarishiga sezgir va tanlovchi sxemalar, generatorlar va boshqalar tayyorlashda ishlatiladi.
|
| |
