|
Yarimo’tkazgichlar jaxon fani va texnikasida salmoqli o’rinni egallaydi. Ular asosida ishlab chiqarilayotgan asboblar va qurilmalar miqdori tez ko’payib, ularning turli soxalarga tatbiqi kengayib bormoqda
|
| bet | 37/43 | | Sana | 16.01.2024 | | Hajmi | 4,76 Mb. | | #139134 |
Bog'liq KIRISHGibrid IMS (yoki GIS) deb umumiy dielektrik asosda joylashgan pardali passiv va diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan iborat mikrosxemaga aytiladi. Diskret komponentlar osma deyiladi. Gibrid IMSlar uchun aktiv elementlar qobiqsiz yoki jajji metall qobiqlarda tayyorlanadi.
GIS larning asosiy afzalliklari: ishlab chiqishning nisbatan kichik davrida analog va raqamli mikrosxemalarning keng sinfini yaratish imkoniyatidan, keng nomenklaturali passiv elementlar hosil qilish imkoniyatidan (MDY — asboblar, diodli va tranzistorli matritsalar) va ishlab chiqarilayotgan mikrosxemalarda yaroqlilar foizining ko‘pligidan iborat. GIS lar aloqa apparatlarining qabul qilish — uzatish tizimlarida, yuqori chastotali kuchaytirgichlarda, O‘YCH qurilmalarda va boshqalarda qo'llaniladi.
Ishlatilgan tranzistor turiga muvofiq yarimo'tkazgich integral mikrosxemalar bipolyar va MDY/MSlarga ajratiladi. Hozirgi kunda p — n o'tish bilan boshqariladigan MT lar asosida yaratilgan IMS lar katta aham iyat kasb etmoqda. Ushbu sinfga arsenid galliy asosida, zatvori Shottki diodi ko‘rinishida b o‘lgan MTlar kiradi. So‘nggi paytda tarkibida ham bipolyar, ham maydoniy tranzistorlar ishlatilgan IMSlar ham tayyorlanm oqda. IMSning funksional murakkabligi uning tarkibidagi element va komponentlar sonini ko‘rsatuvchi integratsiya darajasi bilan ifodalanadi. Integratsiya koeffitsienti son jihatdan K=lgN tenglik bilan aniqlanadi, bu yerda: N — sxema elementlari va komponentlari soni (1-jadval).
Integratsiya koeffitsienti
|
K qiymati
|
Elementlar soni
|
IMS nomi
|
1
|
<1
|
10 tagacha
|
Oddiy
|
2
|
1 |
11
|
O’rtacha (O’IS)
|
3
|
2 |
101 10000
|
Katta (KIS)
|
4-5
|
≥4
|
>10000
|
O’ta katta (O’kis)
|
Oddiy IMSlarga misol sifatida mantiq elementlarni ko‘rsatish mumkin. O‘lSlarga jamlash qurilmasi, hisoblagichlar, operativ xotira qurilmalari (OXQ ), sig‘im i 256—1024 bit bo‘lgan doimiy xotira qurilmalari (DXQ ) misol b o ‘la oladi. KISlarga m antiqiy — arifmetik va boshqaruvchi qurilmalar kiradi. O‘KIS larga 1,9 milliard MDY — tranzistorlardan tashkil topg an , sig‘im i 294 MB bo ‘lgan xotira mikrosxemalari misol bo‘la oladi.
Kristaldagi elementlar joylashuvining zichligi — birlik yuzaga to‘g‘ri keluvchi elementlar soni IS konstruksiyasi va texnologiyasi sifatining muhim ko‘rsatkichi hisoblanadi. Texnologiya darajasi minimal texnologik o'lcham , ya’ni erishish mumkin bo‘lgan eng kichik o‘lcham bilan ifodalanadi, masalan, emitter kengligi, o ‘tkazgichlar kengligi, ular orasidagi masofa bilan xarakterlanadi.
Xotira qurilmalarida elementlar joylashuv zichligi har ikki yilda ikki marta ortib borayotganini 1965-yilda Gordon Mur bashorat qilgan edi. Funksional vazifasiga ko‘ra ISlar analog va raqamlilarga bo‘linadi. Analog lSlarda signal uzluksiz funksiya sifatida o'zgaradi. Eng keng tarqalgan analog IS — operatsion kuchaytirgichdir. Raqamli ISlar diskret ko‘rinishda berilgan signallarni o‘zgartirishga va qayta ishlashga xizmat qiladi.
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
Yarimo’tkazgichlar jaxon fani va texnikasida salmoqli o’rinni egallaydi. Ular asosida ishlab chiqarilayotgan asboblar va qurilmalar miqdori tez ko’payib, ularning turli soxalarga tatbiqi kengayib bormoqda
|
