|
Yarimo’tkazgichlar jaxon fani va texnikasida salmoqli o’rinni egallaydi. Ular asosida ishlab chiqarilayotgan asboblar va qurilmalar miqdori tez ko’payib, ularning turli soxalarga tatbiqi kengayib bormoqda
|
bet | 40/43 | Sana | 16.01.2024 | Hajmi | 4,76 Mb. | | #139134 |
Bog'liq KIRISHZonali eritish usulida monokristall ifloslantiruvchi kiritmalardan qo‘shimcha tozalanadi. Bunda kristalning tor zonasi eritilib, eritilgan zona kristalning bir uchidan ikkinchi uchiga asta siljitib boriladi. Kiritmalarning erigan fazada eruvchanligi qattiq holatdagi eruvchanligiga qaraganda katta bo‘lsa, o‘sha kiritmalar suyuq fazaga o‘tib kristalning ikkinchi uchiga siljib boradi, va o‘sha yerda to‘planadi. Kiritmalar to‘plangan soha tozalash jarayonlari tugagandan so ‘ng kesib tashlanadi.
Bipolyar tranzistorlar asosidagi integral mikrosxemalarni tayyorlash.
Bipolyar tranzistorli IMSlar elementlari (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar) asosini n+ - p — n tuzilma tashkil etadi. IMS tayyorlash uchun planar, planar — epitaksial texnologiyalardan foydalaniladi. Planar texnologiyada elementlar p — yoki n — turli yarimo'tkazgich asosda hosil qilinadi. Planar-epitaksial texnologiyasida elementlar asos sirtiga o'stirilgan epitaksial qatlamda hosil qilinadi. Texnologiya asosni (epitaksial qatlamni) navbatma-navbat donor va akseptor kiritmalar bilan legirlashga asoslanadi, natijada sirttagida turli o‘tkazuvchanlikka ega yupqa qatlamlar va qatlamlar chegarasida p —n o‘tishlar hosil bo‘ladi. Alohida qatlamlar rezistorlar sifatida, p — n o'tishlar esa diod va tranzistor tuzilmalari sifatida ishlatiladi. Kondensatorlar sifatida teskari siljitilgan p —n o ‘tishIar xizmat qiladi.
Integral rezistorlar. Integral rezistorlar tranzistorlarning baza yoki emitter sohasini hosil qilish operatsiyasi bilan bir vaqtda tayyorlanadi. Rezistor qarshiligi berk holatdagi p —n o‘tish chegarasi bilan cheklangan qatlamning hajmiy qarshiligidan iborat bo‘ladi. Emitter soha asosida qarshiligi 3 Om bo‘lgan kichik qarshilikli rezistorlar hosil qilinadi, chunki emitter qatlamning solishtirma qarshiligi kichik bo‘ladi. Katta qarshilikli rezistorlar nisbatan katta solishtirma qarshilikka ega baza qatlamda tayyorlanadi. Bunday rezistorlarning maksimal qarshiligi 200 300 kOm bo‘ladi.
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
Yarimo’tkazgichlar jaxon fani va texnikasida salmoqli o’rinni egallaydi. Ular asosida ishlab chiqarilayotgan asboblar va qurilmalar miqdori tez ko’payib, ularning turli soxalarga tatbiqi kengayib bormoqda
|