|
Yarimo’tkazgichlar jaxon fani va texnikasida salmoqli o’rinni egallaydi. Ular asosida ishlab chiqarilayotgan asboblar va qurilmalar miqdori tez ko’payib, ularning turli soxalarga tatbiqi kengayib bormoqda
|
| bet | 41/43 | | Sana | 16.01.2024 | | Hajmi | 4,76 Mb. | | #139134 |
Bog'liq KIRISHIntegral kondensatorlar. Integral kondensatorlar hosil qilish uchun ixtiyoriy p —n o‘tish: kollektor — asos, baza — kollektor, emitter — baza, yashirin — qatlam — izolatsiyalovchi p — soha ishlatilishi mumkin. Teskari siljitilgan p -n o‘tishning barer sig‘imi berilayotgan kuchlanishga bog‘liq bo‘ladi. Ko‘p hollarda kollektor o'tish sig‘imi ishlatiladi.
Integral diodlar. Integral diodlar integral tranzistor asosida hosil qilinadi. Tranzistorning istalgan p —n o‘tishi diod hosil qilish uchun ishlatilishi mumkin. Ko‘p hollarda baza-emitter o‘tishi, kollektor baza bilan tutashtirilgan holda ( =0) yoki kollektor zanjiri uzilgan holda ( = 0) baza-emitter o‘tish ishlatiladi. Bunday diodlarning ochiq holatdan berk holatga o‘tish vaqti eng kichik bo‘ladi.
IMS tayyorlashda yarimo‘tkazgich asosning bir tomoniga ishlov beriladi, hosil qilingan elementlarning chiqish elektrodlari plastina sirtida bitta tekislikda joylashadi. Shuning uchun “planar texnologiya” deb nom berilgan.
Yarimo‘tkazgich IMSlarni tayyorlashda operatsiyalar ketma-ketligi mikrosxemada elementlarni elektr jihatdan izolatsiyalash usullari bilan belgilanadi: elementlarni teskari siljitilgan p —n o‘tishlar bilan izolatsiyalash; dielektrik ( qatlam) yordamida izolatsiyalash. Shu munosabat bilan yarimo‘tkazgich IMSlar tayyorlashning ikkita asosiy jarayoni:
a) elementlarni p —n o ‘tish bilan izolatsiyalovchi planar-epitaksial texnologiya;
b) dielektrik qatlam yordamida izolatsiyalovchi planar-epitaksial texnologiya (EPIC — texnologiya) mavjud.
Planar-epitaksial texnologiya. Planar-epitaksial texnologiya asosida to'rtta element (kondensator С , diod D, tranzistor T va rezistor R) dan tashkil topgan (7.2-rasm )
7.2-Rasm. Ishlab chiqilayotgan IMS ning prinsipial sxemasi.
IMS tayyorlash uchun p — o‘tkazuvchanlikka ega, qalinligi 0,2 0,4 mm , bo‘lgan kremniy asosdan foydalaniladi (7.3-rasm ). Bunday asosda elementlari soni mingtagacha yoki yuzlarcha bo‘lgan o‘rta va yuqori integratsiya darajali mikrosxemalar bir vaqtda hosil qilinadi (har bir kvadratda bir xil IMSlar joylashadi).
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
Yarimo’tkazgichlar jaxon fani va texnikasida salmoqli o’rinni egallaydi. Ular asosida ishlab chiqarilayotgan asboblar va qurilmalar miqdori tez ko’payib, ularning turli soxalarga tatbiqi kengayib bormoqda
|
