|
Bipolyar tranzistorlarni asosiy parametrlari
|
| bet | 8/43 | | Sana | 16.01.2024 | | Hajmi | 4,76 Mb. | | #139134 |
Bog'liq KIRISHBipolyar tranzistorlarni asosiy parametrlari:
Kirish qarshiligi: [Om] ;
CHiqish qarshiligi: [Om] ;
Tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti: ;
Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti: ;
Quvvat bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti: .
BTda elektrodlar uchta bo‘lgani sababli, uch xil ulanish sxemalari mavjud: umumiy baza (UB); umumiy emitter (UE); umumiy kollektor (UK). Bunda BT elektrodlaridan biri sxemaning kirish va chiqish zanjirlari uchun umumiy, uning o‘zgaruvchan tok (signal) bo‘yicha potensiali esa nolga teng qilib olinadi. BTning rasmda keltirilgan ulanish sxemalari aktiv rejimga mos.
a) b) v)
5 – rasm. BTning statik rejimda UB (a), UE (b) va UK (v) ulanish sxemalari
UB sxemasi uchun kirish statik xarakteristikasi bo‘lib UKB = const bo‘lgandagi IE= f (UEB) bog‘liqlik, UE sxemasi uchun esa UKE = const bo‘lgandagi IB=f(UBE) bog‘liqlik hisoblanadi. Kirish xarakteristikalarining umumiy xarakteri odatda to‘g‘ri yo‘nalishda ulangan p-n bilan aniqlanadi. Shu sababli tashqi ko‘rinishiga ko‘ra kirish xarakteristiklari eksponensial xarakterga ega (6- rasm).
Kollektor o‘tishdagi teskari kulanishning ortishi bilan UB sxemadagi kirish xarakteristika chapga, UE sxemada esa o‘ngga siljiydi.
UB sxemadagi tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi bo‘lib IE =const bo‘lgandagi IK= f (UKB) bog‘liqlik, UE sxemada esa IB =const bo‘lgandagi IK= f (UKE) bog‘liqlik hisoblanadi.
a) b)
6– rasm. BT ning kirish xarakteristikasi: a) UB da b) UE da.
a) b)
7 – rasm. BT ning chiqish xarakteristikasi: a) UB da b) UE da.
Chiqish xarakteristikalari ko‘rinishiga ko‘ra teskari ulangan diod VAXiga o‘xshaydi, chunki kollektor o‘tish teskari ulangan. Xarakteristikalarni qurishda kollektor o‘tishning teskari kuchlanishini o‘ngda o‘rnatish qabul qilingan.
UE sxemasida ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasi UB sxemada ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasiga nisbatan katta qiyalikka ega.
UB sxemada ulangan, eritib tayyorlangan n-p-n BTning aktiv rejimda ishlashini ko‘rib chiqamiz (8- rasm).
|
| |
