|
1-mustaqil ishi mavzu: Bipolyar tranzistorda yig‘ilgan elektron kalit sxemasini tadqiq etish
|
| bet | 5/10 | | Sana | 24.05.2024 | | Hajmi | 0,84 Mb. | | #251855 |
Bog'liq To‘ranov DostonbekQuruq Etsing: Plazma yoki ion nurlari yordamida materialni olib tashlash.
Ho’l Etsing: Kimyoviy eritmalar yordamida materialni eritish.
Ion implantatsiyasi IMS ishlab chiqarishda yarimo’tkazgich materiallariga dopantlarni kiritish uchun ishlatiladi. Bu jarayon materialning elektr xususiyatlarini o’zgartiradi va kerakli funksional imkoniyatlarni ta’minlaydi.
M etallizatsiya jarayoni IMSdagi komponentlarni bir-biriga ulash uchun ishlatiladi. Bu jarayonda metall qoplamalar qo’llaniladi:
Bug’lanish: Metall qatlamlarini hosil qilish uchun bug’lanish jarayoni qo’llaniladi.
Sputtering: Metall qoplamalarni hosil qilish uchun yuqori tezlikda zarrachalarni urish orqali materiallarni ajratish.
1.6. Paketlash (Packaging)
IMSning oxirgi bosqichi paketlash bo’lib, bu bosqichda IMSni himoya qilish va tashqi ulanishlarni ta’minlash uchun paketlar qo’llaniladi. Paketlash jarayoni quyidagi bosqichlarni o’z ichiga oladi:
Kapsulalash: IMSni himoya qilish uchun kapsulalar yoki qoplamalar qo’llanadi.
Pinlar Qo’shish: IMSni tashqi qurilmalarga ulash uchun pinlar yoki kontaktlar qo’shiladi.
IMSlarni ishlab chiqarishda turli materiallar ishlatiladi. Bu materiallar IMSning funktsional xususiyatlarini aniqlaydi.
2.1. Yarimo’tkazgich Materiallar
Yarimo’tkazgich materiallar IMSning asosini tashkil etadi. Eng ko’p qo’llaniladigan materiallar:
Silikon (Si): Eng keng qo’llaniladigan yarimo’tkazgich materiali.
Galliy Arsenid (GaAs): Yuqori chastotali qurilmalar uchun ishlatiladi.
Silicon-Germanium (SiGe): Yuqori tezlik va past quvvat iste’moli talab qilinadigan qurilmalar uchun ishlatiladi.
|
| |
