|
1-mustaqil ishi mavzu: Bipolyar tranzistorda yig‘ilgan elektron kalit sxemasini tadqiq etish
|
| bet | 7/10 | | Sana | 24.05.2024 | | Hajmi | 0,84 Mb. | | #251855 |
Bog'liq To‘ranov Dostonbek
BiCMOS jarayoni quyidagi bosqichlarni o’z ichiga oladi:
Bipolyar Tranzistorlar: Yuqori tezlik va yuqori quvvat tranzistorlarini yaratish.
CMOS Tranzistorlar: Yuqori integratsiya va past quvvat iste’molini ta’minlovchi tranzistorlarni yaratish.
Yuqori Tezlik: Yuqori chastotali signalni qayta ishlash imkoniyati.
Yuqori Quvvat: Yuqori quvvat sig’imi talab qilinadigan ilovalar uchun mos keladi.
Past Quvvat Iste’moli: CMOSning past quvvat iste’moli xususiyatlaridan foydalanish.
3.3. SOI (Silicon on Insulator) Texnologiyasi
SOI texnologiyasi IMSlar ishlab chiqarishda yuqori izolyatsiya va past parazitik kapasitansni ta’minlaydi.
SOI jarayoni quyidagi bosqichlarni o’z ichiga oladi:
Qatlamli Struktura: Yarimo’tkazgich plastinasida izolyatsiya qatlamini yaratish.
Transistorlar: Izolyatsiya qatlami ustida tranzistorlarni yaratish.
Past Parazitik Kapasitans: Chastotali ishlashni yaxshilash.
Yuqori Izolyatsiya: Komponentlar orasidagi elektr signallarni ajratish.
FinFET
texnologiyasi IMS ishlab chiqarishda yuqori integratsiya va past quvvat iste’molini ta’minlaydi.
FinFET jarayoni quyidagi bosqichlarni o’z ichiga oladi:
Fin Strukturasi: Uch o’lchamli tranzistorlarni yaratish uchun “fin” shaklidagi struktura yaratish.
Gate Qo’llash: Fin strukturasiga gate materialini qo’llash.
Yuqori Integratsiya: Ko’plab tranzistorlarni kichik maydonga joylashtirish.
|
| |
