|
1-mustaqil ishi mavzu: Bipolyar tranzistorda yig‘ilgan elektron kalit sxemasini tadqiq etish
|
| bet | 8/10 | | Sana | 24.05.2024 | | Hajmi | 0,84 Mb. | | #251855 |
Bog'liq To‘ranov DostonbekPast Quvvat Iste’moli: Yuqori samaradorlik va past quvvat iste’molini ta’minlash.
4. IMSlarni Tayyorlashda Qo’llaniladigan Zamonaviy Yondashuvlar
IMSlarni tayyorlash texnologiyalari doimo rivojlanib bormoqda. Bu bo’limda zamonaviy yondashuvlar va texnologiyalar haqida batafsil ma’lumot beriladi.
4.1. 3D Integratsiya
3D integratsiya texnologiyasi IMSlar ishlab chiqarishda uch o’lchamli strukturalarni yaratish imkonini beradi. Bu texnologiya yuqori zichlikdagi integratsiyani ta’minlaydi.
4.1.1. 3D Integratsiya Jarayoni
3D integratsiya jarayoni quyidagi bosqichlarni o’z ichiga oladi:
Stacking (Yig’ish): Bir nechta IMS qatlamlarini bir-biriga yig’ish.
Interconnects (Ulanishlar): IMS qatlamlarini bir-biriga ulash uchun vertikal ulan
ishlarni yaratish.
4.1.2. 3D Integratsiyaning Afzalliklari
Yuqori Integratsiya Zichligi: Ko’plab komponentlarni kichik hajmga joylashtirish.
Yuqori Tezlik: Komponentlar orasidagi qisqa masofa signal uzatishni tezlashtiradi.
Past Quvvat Iste’moli: Komponentlar orasidagi past qarshilik quvvat iste’molini kamaytiradi.
4.2. Katta Hajmdagi Yopiq TSX (Bulk CMOS)
Katta hajmdagi yopiq TSX texnologiyasi yuqori zichlikdagi IMSlarni ishlab chiqarishda qo’llaniladi. Bu texnologiya katta hajmdagi yarimo’tkazgich plastinalaridan foydalanishni ta’minlaydi.
4.2.1. Bulk CMOS Jarayoni
Bulk CMOS jarayoni quyidagi bosqichlarni o’z ichiga oladi:
Yopiq TSX Yaratish: Katta hajmdagi yarimo’tkazgich plastinalarini tayyorlash.
Tranzistorlar Yaratish: Katta hajmdagi plastinalarda tranzistorlar yaratish.
4.2.2. Bulk CMOSning Afzalliklari
Yuqori Zichlik: Katta hajmdagi plastinalar ko’proq tranzistorlarni joylashtirish imkonini beradi.
|
| |
