• 4.1. 3D Integratsiya
  • 4.1.2. 3D Integratsiyaning Afzalliklari
  • 4.2. Katta Hajmdagi Yopiq TSX (Bulk CMOS)
  • 4.2.2. Bulk CMOSning Afzalliklari
    		•

    1-mustaqil ishi mavzu: Bipolyar tranzistorda yig‘ilgan elektron kalit sxemasini tadqiq etish




    Download 0,84 Mb.
    bet8/10
    Sana24.05.2024
    Hajmi0,84 Mb.
    #251855
    1   2   3   4   5   6   7   8   9   10
    Bog'liq
    To‘ranov Dostonbek

    Past Quvvat Iste’moli: Yuqori samaradorlik va past quvvat iste’molini ta’minlash.

    4. IMSlarni Tayyorlashda Qo’llaniladigan Zamonaviy Yondashuvlar


    IMSlarni tayyorlash texnologiyalari doimo rivojlanib bormoqda. Bu bo’limda zamonaviy yondashuvlar va texnologiyalar haqida batafsil ma’lumot beriladi.

    4.1. 3D Integratsiya


    3D integratsiya texnologiyasi IMSlar ishlab chiqarishda uch o’lchamli strukturalarni yaratish imkonini beradi. Bu texnologiya yuqori zichlikdagi integratsiyani ta’minlaydi.

    4.1.1. 3D Integratsiya Jarayoni


    3D integratsiya jarayoni quyidagi bosqichlarni o’z ichiga oladi:

    • Stacking (Yig’ish): Bir nechta IMS qatlamlarini bir-biriga yig’ish.

    • Interconnects (Ulanishlar): IMS qatlamlarini bir-biriga ulash uchun vertikal ulan

    ishlarni yaratish.

    4.1.2. 3D Integratsiyaning Afzalliklari


    • Yuqori Integratsiya Zichligi: Ko’plab komponentlarni kichik hajmga joylashtirish.

    • Yuqori Tezlik: Komponentlar orasidagi qisqa masofa signal uzatishni tezlashtiradi.

    • Past Quvvat Iste’moli: Komponentlar orasidagi past qarshilik quvvat iste’molini kamaytiradi.

    4.2. Katta Hajmdagi Yopiq TSX (Bulk CMOS)


    Katta hajmdagi yopiq TSX texnologiyasi yuqori zichlikdagi IMSlarni ishlab chiqarishda qo’llaniladi. Bu texnologiya katta hajmdagi yarimo’tkazgich plastinalaridan foydalanishni ta’minlaydi.

    4.2.1. Bulk CMOS Jarayoni


    Bulk CMOS jarayoni quyidagi bosqichlarni o’z ichiga oladi:

    • Yopiq TSX Yaratish: Katta hajmdagi yarimo’tkazgich plastinalarini tayyorlash.

    • Tranzistorlar Yaratish: Katta hajmdagi plastinalarda tranzistorlar yaratish.

    4.2.2. Bulk CMOSning Afzalliklari


    • Yuqori Zichlik: Katta hajmdagi plastinalar ko’proq tranzistorlarni joylashtirish imkonini beradi.


    • Download 0,84 Mb.
    1   2   3   4   5   6   7   8   9   10




    Download 0,84 Mb.
    Bosh sahifa
    Aloqalar
        Bosh sahifa
    Dərs
    Mühazirə
    Qaydalar
    Referat
    Xülasə
    Yazı


    1-mustaqil ishi mavzu: Bipolyar tranzistorda yig‘ilgan elektron kalit sxemasini tadqiq etish

    Download 0,84 Mb.