|
1-mustaqil ishi mavzu: Bipolyar tranzistorda yig‘ilgan elektron kalit sxemasini tadqiq etish
|
| bet | 6/10 | | Sana | 24.05.2024 | | Hajmi | 0,84 Mb. | | #251855 |
Bog'liq To‘ranov Dostonbek
Izolyatsiya materiallar elektr signallarni bir-biridan ajratish va izolyatsiya qilish uchun ishlatiladi:
SiO2 (Silikon Dioksid): Eng keng qo’llaniladigan izolyatsiya materiali.
Si3N4 (Silikon Nitrid): Yuqori izolyatsiya xususiyatlariga ega.
Metall materiallar IMSdagi komponentlarni bir-biriga ulash va elektr kontaktlarni ta’minlash uchun ishlatiladi:
Aluminiy (Al): Eng keng qo’llaniladigan metall material.
Mis (Cu): Yuqori o’tkazuvchanlik va past qarshilik talab qilinadigan joylarda ishlatiladi.
Volfram (W): Yuqori haroratga chidamlilik talab qilinadigan joylarda ishlatiladi.
3. IMSlarni Tayyorlashda Qo’llaniladigan Texnologiyalar
IMSlarni tayyorlashda bir qator ilg’or texnologiyalar qo’llaniladi.
3.1. CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) Texnologiyasi
CMOS texnologiyasi IMSlar ishlab chiqarishda eng keng qo’llaniladigan texnologiyalardan biridir. Bu texnologiya yuqori integratsiya zichligi, past quvvat iste’moli va yuqori tezlikni ta’minlaydi.3.1.1. CMOS Jarayoni
CMOS jarayoni bir nechta bosqichlarni o’z ichiga oladi:
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) Yarim O’tkazgichlar: NMOS va PMOS tranzistorlarini yaratish.
Izolyatsiya va Metallizatsiya: Tranzistorlarni izolyatsiya qilish va ulash.
Yuqori Integratsiya Zichligi: Ko’plab tranzistorlarni kichik maydonga joylashtirish imkoniyati.
Past Quvvat Iste’moli: Quvvat iste’molini kamaytirish va batareya umrini uzaytirish.
Yuqori Tezlik: Yuqori ishlash tezligini ta’minlash.
3.2. BiCMOS (Bipolar-CMOS) Texnologiyasi
BiCMOS texnologiyasi bipolar va CMOS texnologiyalarining afzalliklarini birlashtiradi. Bu texnologiya yuqori tezlik, yuqori quvvat va past quvvat iste’molini ta’minlaydi.
|
| |
