Shuning uchun stabil domen hosil bo‘lishi uchun domen hosil bo‘lish vaqti
Ф
domenning katoddan anodga uchib o‘tish vaqti
ТУЙ
L
Т
/
0
dan kichik bo‘lmog‘i zarur. Anodga
yetgan domen so‘rilib ketadi.
Shundan keyin
- qatlamda yangi domen hosil bo‘ladi va jarayon
takrorlanadi. Domenlarning yo‘qolishi va yangisining hosil bo‘lishi diod qarshiligining o‘zgarishi
bilan
davom etadi, natijada diod toki tebranishlari kuzatiladi.
0
T
Ф
bo‘lganda diod toki
tebranishlari chastotasi
L
f
ТУЙ
/
ga teng, bu
yerda
ТУЙ
=10
7
см/с,
L – yarimo‘tkazgich
uzunligi. Diodning domenlar hosil qilib ishlash rejimi
uchib o‘tish rejimi deb ataladi.
GD asosidagi generatorning sodda sxemasi 6.10-rasmda keltirilgan. Rezonator
С
Э
sig‘imli,
L
Э
induktivlikli va
R
Э
qarshilikli ekvivalent kontur bilan almashtirilgan.
Generator R
Э
ning kichik
qiymatlarida o‘z – o‘zini uyg‘otadi va uchib o‘tish rejimi amalga oshadi. Ushbu rejimda
yuklamadagi quvvat domen hosil qiladi, diodning qolgan qismi passivdir. Shuning uchun diodning
FIK bir necha foizdan oshmaydi.
6.10-rasm. Gann diodi asosidagi
sodda generator sxemasi
GD asosidagi generatorning ko‘rib chiqilgan rejimi bir necha GGs chamasidagi chastotalar
uchun o‘rinli bo‘lib, tranzistorlar asosidagi anchagina yuqori FIK ga ega bo‘lgan generatorlar bilan
raqobatlasha olmaydi. 10 GGs dan yuqori chastotalarda GDlari
hajmiy zaryad to‘planishini
