v)
6.1-rasm. Yarimo‘tkazgichlarda kontakt
hodisalari
Rasmdan ko‘rinib turibdiki, р-n o‘tishda
volt-larda ifodalanadigan kontakt potensiallar
farqiga
p
n
K
U
teng bo‘lgan potensial to‘siq yuzaga keladi.
U
K
kattaligi dastlabki
yarim o‘tkazgich material ta’qiqlangan zona kengligi va kiritma kon-sentratsiyasiga bog‘liq
bo‘ladi. Ko‘pgina р-n o‘tishlar kontakt potensiallar farqi:
Ge uchun
K
U
0,35 В, kremniy
uchun esa = 0,7 V.
Р-n o‘tish
kengligi l
0
K
U
ga proporsional bo‘ladi va mkmning o‘nlik yoki birlik
qismlarini tashkil etadi. Tor р-n o‘tish hosil qilish uchun katta kiritma konsentarsiyasi kiritiladi,
l
0
ni kattalashtirish uchun esa kichik kiritmalar konsentratsiyasi qo‘llaniladi.
Р-n o‘tish toklari.
q
U
U
R
i
energiyaga ega bo‘lgan ko‘pgina
zaryad tashuvchilar
(6.1- rasmga qarang) р-n o‘tish orqali qo‘shni sohalarga diffuziya hisobiga r-n o‘tish maydoniga
qarama – qarshi ravishda siljiydilar. Ular
diffuziya tokini yuzaga keltiradilar. Asosiy zaryad
tashuvchilarning р-n o‘tish orqali harakati bilan bir vaqtda, р-n o‘tish ular uchun tezlatuvchi bo‘lib
ta’sir ko‘rsatayogan maydon ta’sirida asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar ham harakatlanadilar.
Asosiy bo‘lmagan zaryad tashuchilar oqimi
dreyf tokini yuzaga keltiradi. Tashqi maydon ta’sir
ettirilmaganda dinamik muvozanat o‘rnatiladi, ya’ni diffuziya va
dreyf toklarining absolyut
qiymatlari teng bo‘ladi. Lekin diffuziya va dreyf toklari o‘zaro qarama – qarshi yo‘nalishda
yo‘nalganligi uchun, p-n o‘tishdagi natijaviy tok nolga teng bo‘ladi.
